Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2022011229 - FULLY TRANSPARENT ULTRAVIOLET OR FAR-ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING DIODES

Publication Number WO/2022/011229
Publication Date 13.01.2022
International Application No. PCT/US2021/041042
International Filing Date 09.07.2021
IPC
H01L 33/00 2010.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H01L 27/15 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier, specially adapted for light emission
Applicants
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US]/[US]
Inventors
  • ZOLLNER, Christian J.
  • IZA, Michael
  • SPECK, James S.
  • DENBAARS, Steven P.
  • NAKAMURA, Shuji
Agents
  • GATES, George H.
Priority Data
63/049,80109.07.2020US
Publication Language English (en)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) FULLY TRANSPARENT ULTRAVIOLET OR FAR-ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING DIODES
(FR) DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES À ULTRAVIOLET OU À ULTRAVIOLET LOINTAIN ENTIÈREMENT TRANSPARENTES
Abstract
(EN) A fully transparent UV LED or far-UV LED is disclosed, in which all semiconductor layers except the active region are transparent to the radiation emitted in the active region. The key technology enabling this invention is the transparent tunnel junction, which replaces the optically absorbing p-GaN and metal mirror p-contact currently found in all commercially available UV LEDs. The tunnel junction also enables the use of a second n-AlGaN current spreading layer above the active region (on the p-side of the device) similar to the current spreading layer already found below the active region (on the n-side of the device). Therefore, small-area and/or remote p- and n-contacts can be used, and light can be extracted from both the top-side and bottom-side of the device. This fully transparent semiconductor device can then be packaged using transparent materials into a fully transparent UV LED or far-UV LED with high brightness and efficiency.
(FR) L'invention concerne une DEL UV ou une DEL UV lointain entièrement transparente où toutes les couches semi-conductrices à l'exception de la région active sont transparentes au rayonnement émis dans la région active. La technologie clé permettant la présente invention est la jonction tunnel transparente, qui remplace le contact p miroir métallique et p-GaN optiquement absorbant que l'on trouve actuellement dans toutes les DEL UV disponibles dans le commerce. La jonction tunnel permet également l'utilisation d'une seconde couche d'étalement de courant de type n-AlGaN au-dessus de la région active (sur le côté p du dispositif) similaire à la couche d'étalement de courant se trouvant déjà au-dessous de la région active (sur le côté n du dispositif). Par conséquent, des contacts p et n à petite surface et/ou à distance peuvent être utilisés, et la lumière peut être extraite à la fois du côté supérieur et du côté inférieur du dispositif. Ce dispositif semi-conducteur entièrement transparent peut ensuite être emballé à l'aide de matériaux transparents dans une DEL UV ou une DEL UV lointain entièrement transparente avec une luminosité et une efficacité élevées.
Latest bibliographic data on file with the International Bureau