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1. WO2022010786 - ITERATIVE FORMATION OF DAMASCENE INTERCONNECTS

Publication Number WO/2022/010786
Publication Date 13.01.2022
International Application No. PCT/US2021/040306
International Filing Date 02.07.2021
IPC
H01L 21/768 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/7086
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
H01L 21/66 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
66Testing or measuring during manufacture or treatment
H01L 23/00 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
Applicants
  • RAYTHEON COMPANY [US]/[US]
Inventors
  • MILLER, Eric, R.
  • KILCOYNE, Sean, P.
  • LIGUORI, Michael, V.
  • RONDON, Michael, J.
Agents
  • LAWRENCE, M., Brad
Priority Data
16/923,33208.07.2020US
Publication Language English (en)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) ITERATIVE FORMATION OF DAMASCENE INTERCONNECTS
(FR) FORMATION ITÉRATIVE D'INTERCONNEXIONS DAMASQUINÉES
Abstract
(EN) Disclosed herein are interconnects and methods of fabricating a plurality of interconnects. The method includes depositing a conformal layer of a plating base in each of a plurality of vias, and depositing a photoresist on two portions of a surface of the plating base outside and above the plurality of vias. The method also includes depositing a plating metal over the plating base in each of the plurality of vias, the depositing resulting in each of the plurality of vias being completely filled or incompletely filled, performing a chemical mechanical planarization (CMP), and performing metrology to determine if any of the plurality of vias is incompletely filled following the depositing the plating metal. A second iteration of the depositing the plating metal over the plating base is performed in each of the plurality of vias based on determining that at least one of the plurality of vias is incompletely filled.
(FR) La présente invention concerne des interconnexions et des procédés destinés à fabriquer une pluralité d'interconnexions. Le procédé consiste à déposer une couche conforme d'une base de placage dans chaque voie d'une pluralité de voies, et à déposer un enduit photorésistant sur deux parties d'une surface de la base de placage à l'extérieur et au-dessus de la pluralité de voies. Le procédé consiste également à déposer un métal de placage au-dessus de la base de placage dans chaque voie de la pluralité de voies. le dépôt ayant pour résultat que chaque voie de la pluralité de voies est complètement remplie ou incomplètement remplie, à procéder à une planarisation chimicomécanique (CMP), et à procéder à une métrologie pour déterminer si une voie quelconque parmi la pluralité de voies est incomplètement remplie à la suite du dépôt du métal de placage. Une deuxième itération du dépôt de métal de placage au-dessus de la base de placage est mise en œuvre dans chaque voie de la pluralité de voies sur la base de la détermination qu'au moins une voie de la pluralité de voies est incomplètement remplie.
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