(EN) Disclosed is a gallium arsenide, GaAs, enabled tunable filter for, e.g., 6 GHz Wi-Fi RF Frontend, with integrated high-performance varactors metal-insulator-metal, MIM, capacitors, and 3D solenoid inductors. The tunable filter comprises a hyper-abrupt variable capacitor (120), varactor, with high capacitance tuning ratio. The tunable filter also comprises a GaAs substrate in which through-GaAs-vias (160), TGV, are formed. The varactor along with the MIM capacitors and the 3D inductors (142) is formed in an upper conductive structure (150) on upper surface of the GaAs substrate. Lower conductive structure (170) comprising lower conductors is formed on lower surface of the GaAs substrate. Electrical coupling between the lower and upper conductive structures is provided by the TGVs. The tunable filter can be integrated with radio frequency front end, RFFE, devices.
(FR) L'invention concerne un filtre accordable activé par de l'arséniure de gallium (GaAs) destiné, par exemple, à un élément frontal RF de Wi-Fi à 6 GHz, comportant des varactors haute performance intégrés, des condensateurs métal-isolant-métal (MIM) et des inducteurs solénoïdes en 3D. Le filtre accordable comprend un condensateur variable hyper-abrupte (120) (varactor) à rapport d'accord de capacité élevé. Le filtre accordable comprend également un substrat de GaAs dans lequel sont formés des trous de liaison traversants de GaAs (160) (TGV). Le varactor avec les condensateurs MIM et les inducteurs en 3D (142) est formé dans une structure conductrice supérieure (150) sur la surface supérieure du substrat de GaAs. Une structure conductrice inférieure (170) comprenant des conducteurs inférieurs est formée sur la surface inférieure du substrat de GaAs. Un couplage électrique entre les structures conductrices inférieure et supérieure est assuré par les TGV. Le filtre accordable peut être intégré à des dispositifs frontaux à radiofréquence (RFFE).
