Processing

Please wait...

PATENTSCOPE will be unavailable a few hours for maintenance reason on Tuesday 25.01.2022 at 12:00 PM CET
Settings

Settings

Goto Application

1. WO2022009674 - SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR PACKAGE

Publication Number WO/2022/009674
Publication Date 13.01.2022
International Application No. PCT/JP2021/023698
International Filing Date 23.06.2021
IPC
H01L 27/146 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
Applicants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 桝田 佳明 MASUDA Yoshiaki
  • 金口 時久 KANEGUCHI Tokihisa
Agents
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
Priority Data
2020-11683107.07.2020JP
Publication Language Japanese (ja)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR PACKAGE
(FR) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
Abstract
(EN) The present technology relates to a semiconductor package that can improve the quality of a semiconductor package of a WCSP structure, and a method for producing the semiconductor package. Provided is a semiconductor package comprising: a semiconductor substrate provided with a light-receiving element; an on-chip lens arranged on the incident surface side of the semiconductor substrate; a resin layer in contact with a central portion including the most protruding portion of the on-chip lens; and a glass substrate in contact with the surface of the resin layer opposite to the surface in contact with the on-chip lens, wherein a space is provided between the peripheral portion around the central portion of the on-chip lens and the resin layer. The present technology is applicable to, for example, an imaging element.
(FR) La présente technologie concerne un boîtier de semi-conducteur qui peut améliorer la qualité d'un boîtier de semi-conducteur d'une structure WCSP, et un procédé de production du boîtier de semi-conducteur. L'invention concerne un boîtier de semi-conducteur comprenant : un substrat semi-conducteur pourvu d'un élément de réception de lumière; une lentille sur puce disposée sur le côté surface incidente du substrat semi-conducteur; une couche de résine en contact avec une partie centrale comprenant la partie la plus en saillie de la lentille sur puce; et un substrat de verre en contact avec la surface de la couche de résine opposée à la surface en contact avec la lentille sur puce, un espace étant prévu entre la partie périphérique autour de la partie centrale de la lentille sur puce et la couche de résine. La présente invention peut s'appliquer, par exemple, à un élément d'imagerie.
(JA) 本技術は、WCSP構造の半導体パッケージの品質を向上させることができるようにする半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法に関する。 半導体パッケージは、受光素子を備える半導体基板と、前記半導体基板の入射面側に配置されているオンチップレンズと、前記オンチップレンズの最も突出した部分を含む中央部と接している樹脂層と、前記樹脂層の前記オンチップレンズと接している面と反対側の面に接しているガラス基板とを備え、前記オンチップレンズの前記中央部の周囲の周辺部と前記樹脂層との間に空間が設けられている。本技術は、例えば、撮像素子に適用できる。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau