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1. WO2022009553 - ETCHING METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Publication Number WO/2022/009553
Publication Date 13.01.2022
International Application No. PCT/JP2021/020221
International Filing Date 27.05.2021
IPC
H01L 21/3065 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
302to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
Applicants
  • 昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP]/[JP]
Inventors
  • 松井 一真 MATSUI Kazuma
Agents
  • 田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu
  • 森 哲也 MORI Tetsuya
Priority Data
2020-11878409.07.2020JP
Publication Language Japanese (ja)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) ETCHING METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) エッチング方法及び半導体素子の製造方法
Abstract
(EN) Provided is an etching method by which an etching object having silicon nitride can be selectively etched compared to a non-etching object. This etching method comprises an etching step in which an etching gas, which contains a fluorine compound having at most 3 carbon atoms and having, in a molecule, at least one bond among a carbon-oxygen double bond and an ether bond, is brought into contact with a member to be etched having an etching object and a non-etching object in the presence of plasma, and the etching object is selectively etched compared to the non-etching object. The concentration of the fluorine compound in the etching gas is 0.5-40 vol%, and the etching object has silicon nitride.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure par lequel un objet de gravure contenant du nitrure de silicium peut être sélectivement gravé par comparaison à un objet de non-gravure. Ce procédé de gravure comprend une étape de gravure dans laquelle un gaz de gravure, qui contient un composé de fluor contenant au plus 3 atomes de carbone et comprenant, dans une molécule, au moins une liaison parmi une double liaison carbone-oxygène et une liaison éther, est mis en contact avec un élément à graver comprenant un objet de gravure et un objet de non-gravure en présence de plasma, et l'objet de gravure est sélectivement gravé par comparaison à l'objet de non-gravure. La concentration du composé de fluor dans le gaz de gravure est de 0,5 à 40 % en volume, et l'objet de gravure contient du nitrure de silicium.
(JA) 窒化ケイ素を有するエッチング対象物を非エッチング対象物に比べて選択的にエッチングすることができるエッチング方法を提供する。エッチング方法は、炭素-酸素二重結合及びエーテル結合の少なくとも一方の結合を分子内に有する炭素数3以下のフッ素化合物を含有するエッチングガスを、エッチング対象物と非エッチング対象物とを有する被エッチング部材に、プラズマの存在下で接触させ、非エッチング対象物に比べてエッチング対象物を選択的にエッチングするエッチング工程を備える。エッチングガス中のフッ素化合物の濃度は0.5体積%以上40体積%以下であり、エッチング対象物は窒化ケイ素を有する。
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