(EN) The objective of the present invention is to improve the level of integration of an information processing device including a reservoir unit. An input unit (11) of an information processing device (10) converts a first high-frequency signal to emit a first radio wave, a reservoir unit (12) including a plurality of semiconductor elements (in FIG. 1, one-dimensional semiconductors (12a, 12b) such as InAs semiconductor nanowires), which are provided between the input unit (11) and an output unit (13) and which modulate the first radio wave by exhibiting a nonlinear response to the first radio wave, outputs a second radio wave obtained by the modulation of the first radio wave, and the output unit (13) converts the received second radio wave into a second high-frequency signal.
(FR) La présente invention a pour objet d'améliorer le niveau d'intégration d'un dispositif de traitement d'informations comprenant une unité de réservoir. Une unité d'entrée (11) d'un dispositif de traitement d'informations (10) convertit un premier signal haute fréquence pour émettre une première onde radio, une unité réservoir (12) comprenant une pluralité d'éléments semi-conducteurs (dans la figure 1, des semi-conducteurs unidimensionnels (12a, 12b) tels que des nanofils semi-conducteurs InAs) qui sont disposés entre l'unité d'entrée (11) et une unité de sortie (13) et qui modulent la première onde radio en présentant une réponse non linéaire à la première onde radio, puis génère une seconde onde radio obtenue par modulation de la première onde radio, et l'unité de sortie (13) convertit la seconde onde radio reçue en un second signal haute fréquence.
(JA) リザバー部を含む情報処理装置の集積性を向上する。 情報処理装置（１０）の入力部（１１）が、第１の高周波信号を第１の電波に変換して放射し、入力部（１１）と出力部（１３）との間に設けられ、第１の電波に対して非線形応答を行うことで第１の電波を変調させる複数の半導体素子（図１ではＩｎＡｓ半導体ナノワイヤなどの１次元半導体（１２ａ，１２ｂ））を有するリザバー部（１２）が、第１の電波に対する変調によって得られる第２の電波を出力し、出力部（１３）が、受信した第２の電波を第２の高周波信号に変換する。
