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1. WO2022008836 - SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH NITRIDED INTERFACE LAYER

Publication Number WO/2022/008836
Publication Date 13.01.2022
International Application No. PCT/FR2021/051243
International Filing Date 06.07.2021
IPC
H01L 21/02 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Applicants
  • SAINT-GOBAIN LUMILOG [FR]/[FR]
Inventors
  • TENDILLE, Florian
  • AMIROUCHE, Idris
  • CHAUVEAU, Hyonju
  • BEAUMONT, Bernard
Agents
  • REGIMBEAU
Priority Data
FR200715006.07.2020FR
Publication Language French (fr)
Filing Language French (FR)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH NITRIDED INTERFACE LAYER
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AVEC COUCHE D'INTERFACE NITRUREE
Abstract
(EN) Disclosed is a method for manufacturing a monocrystalline semiconductor material of the nitride of a group 13 element, comprising a step of depositing at least one separation layer comprising an element M selected among Ge, Zr, Y, Si, Se, Sc, Mg, In, W, La, Ti, Ta and Hf, by epitaxial growth on a starting substrate; characterised in that an interface layer of formula MvAlxOyNz is deposited between the starting substrate and the separation layer, wherein: - the atomic indices x and z are greater than 0 and less than or equal to 1; and, - the atomic indices v and y are between 0 and 1; and - the sum y+z is greater than 0.9 and less than or equal to 1.5; and - the sum v+y is greater than or equal to 0.3 and less than or equal to 1.
(FR) Procédé de fabrication procédé de fabrication d'un matériau monocristallin semi-conducteur de nitrure d'élément 13, comprenant une étape de dépôt d'au moins une couche de séparation comprenant un élément M choisi parmi Ge, Zr, Y, Si, Se, Sc, Mg, In, W, La, Ti, Ta, Hf, par croissance épitaxiale sur un substrat de départ; caractérisé en ce qu'une couche d'interface de formulation MvAlxOyNz, est déposée entre ledit substrat de départ et ladite couche de séparation, où : -les indices atomiques x et z sont supérieurs à 0 et inférieurs ou égaux à 1, et -les indices atomiques v et y sont compris entre 0 et 1, et -la somme y+z est supérieure à 0.9 et inférieure ou égale à 1.5, et - la somme v+y est supérieure ou égale à 0.3 et inférieure ou égale à 1.
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