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1. WO2022008690 - METHOD FOR PRODUCING A DIELECTRIC LAYER ON A STRUCTURE MADE OF III-V MATERIALS

Publication Number WO/2022/008690
Publication Date 13.01.2022
International Application No. PCT/EP2021/069075
International Filing Date 08.07.2021
IPC
H01L 21/02 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 29/66 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66Types of semiconductor device
Applicants
  • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR]/[FR]
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR]/[FR]
  • UNIVERSITE GRENOBLE ALPES [FR]/[FR]
Inventors
  • LEGALLAIS, Maxime
  • SALEM, Bassem
  • BARON, Thierry
  • GWOZIECKI, Romain
  • PLISSONNIER, Marc
Agents
  • HAUTIER, Nicolas
Priority Data
200727909.07.2020FR
Publication Language French (fr)
Filing Language French (FR)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR PRODUCING A DIELECTRIC LAYER ON A STRUCTURE MADE OF III-V MATERIALS
(FR) PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE COUCHE DIÉLECTRIQUE SUR UNE STRUCTURE EN MATÉRIAUX III-V
Abstract
(EN) The invention relates to a method for producing, on a structure (70) based on a lll-V material, a dielectric layer (71), the method comprising carrying out the following sequences: • - producing a first dielectric film (71A) using ALD by carrying out a plurality of first cycles (IA) each comprising at least: • •injecting (10A), into the reaction chamber (210), a precursor based on a first material, • • injecting (30A), into the reaction chamber (210), a precursor based on water (H 2O) or on ozone (O 3), • - producing, on the first dielectric film (71A), a second dielectric film (71 B) using plasma-enhanced ALD by carrying out a plurality of second cycles (1 B) each comprising at least: • •injecting (10B), into the reaction chamber (210), a precursor based on a second material, • • injecting (30B), into the reaction chamber (210), a precursor based on oxygen (O) or on nitrogen (N).
(FR) L'invention concerne un procédé de réalisation, sur une structure (70) à base d'un matériau lll-V, d'une couche diélectrique (71), le procédé comprenant les séquences suivantes effectuées : • - réaliser un premier film diélectrique (71A) par ALD en effectuant une pluralité de premiers cycles (IA) comprenant chacun au moins: • •une injection (10A) dans la chambre de réaction (210) d'un précurseur à base d'un premier matériau, • • une injection (30A) dans la chambre de réaction (210) d'un précurseur à base d'eau (H 2O) ou d'ozone (0 3), • - réaliser, sur le premier film diélectrique (71A), un deuxième film diélectrique (71 B) par ALD assisté par plasma en effectuant une pluralité de deuxièmes cycles (1 B) comprenant chacun au moins : • • une injection (10B) dans la chambre de réaction (210) d'un précurseur à base d'un deuxième matériau, • • une injection (30B) dans la chambre de réaction (210) d'un précurseur à base d'oxygène (O) ou d'azote (N).
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