(EN) A manufacturing method for a semiconductor structure, the method comprising: forming a sacrificial layer on a substrate; forming a trench in the sacrificial layer; forming a first spacing structure in the trench, with the first spacing structure at least covering a side wall of the trench; forming a first conductive structure in the trench; forming a second conductive structure which covers an outer side wall of the first spacing structure; forming a second spacing structure which covers an outer side wall of the second conductive structure; and forming a third conductive structure which covers an outer side wall of the second spacing structure.
(FR) Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice, le procédé consistant à : former une couche sacrificielle sur un substrat ; former une tranchée dans la couche sacrificielle ; former une première structure d'espacement dans la tranchée, la première structure d'espacement recouvrant au moins une paroi latérale de la tranchée ; former une première structure conductrice dans la tranchée ; former une deuxième structure conductrice qui recouvre une paroi latérale extérieure de la première structure d'espacement ; former une seconde structure d'espacement qui recouvre une paroi latérale extérieure de la deuxième structure conductrice ; et former une troisième structure conductrice qui recouvre une paroi latérale extérieure de la seconde structure d'espacement.
(ZH) 一种半导体结构的制作方法包括:在衬底上形成牺牲层;在牺牲层内形成沟槽;在沟槽内形成第一间隔结构,第一间隔结构至少覆盖沟槽的侧壁;在沟槽以形成第一导电结构;形成覆盖第一间隔结构外侧侧壁的第二导电结构;形成覆盖第二导电结构的外侧侧壁的第二间隔结构;形成覆盖第二间隔结构外侧侧壁的第三导电结构。