(EN) A manufacturing method for a trench MOS barrier Schottky diode device. The method comprises: providing a wafer substrate (200); forming an epitaxial layer (210) on the wafer substrate (200); forming a plurality of spaced trench polycrystalline structures (220) in the epitaxial layer (210); forming a surface film layer on the epitaxial layer (210); performing ion sputtering to form a metal film layer (240) on the surface film layer; and performing first processing on the epitaxial layer (210) to increase the compressive stress of the epitaxial layer (210) on the wafer substrate (200), and/or, performing second processing on the surface film layer to increase the density of the surface film layer.
(FR) Procédé de fabrication d'un dispositif à diode Schottky à barrière MOS à tranchée. Le procédé consiste à : fournir un substrat de tranche (200) ; former une couche épitaxiale (210) sur le substrat de tranche (200) ; former une pluralité de structures polycristallines de tranchée (220) espacées dans la couche épitaxiale (210) ; former une couche de film de surface sur la couche épitaxiale (210) ; effectuer une pulvérisation ionique pour former une couche de film métallique (240) sur la couche de film de surface ; et réaliser un premier traitement sur la couche épitaxiale (210) pour augmenter la contrainte de compression de la couche épitaxiale (210) sur le substrat de tranche (200), et/ou, effectuer un second traitement sur la couche de film de surface pour augmenter la densité de la couche de film de surface.
(ZH) 一种沟槽金属氧化物半导体势垒肖特基二极管器件的制造方法,所述方法包括:提供晶圆衬底(200);在所述晶圆衬底(200)上形成外延层(210);在所述外延层(210)中形成多个间隔的沟槽式多晶结构(220);在所述外延层(210)上形成表面膜层;执行离子溅射以在所述表面膜层上形成金属膜层(240);其中,对所述外延层(210)执行第一处理,以增大所述外延层(210)对所述晶圆衬底(200)的压应力,和/或,对所述表面膜层执行第二处理,以增大所述表面膜层的致密度。