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1. WO2022007449 - IMAGE SENSOR PIXEL CIRCUIT, IMAGE SENSOR, AND DEPTH CAMERA

Publication Number WO/2022/007449
Publication Date 13.01.2022
International Application No. PCT/CN2021/085005
International Filing Date 01.04.2021
IPC
H04N 5/355 2011.1
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors
351Control of the SSIS depending on the scene, e.g. brightness or motion in the scene
355Control of the dynamic range
Applicants
  • 深圳奥芯微视科技有限公司 SHENZHEN AOXIN MICRO VISION TECHNOLOGY CO., LTD [CN]/[CN]
Inventors
  • 王飞 WANG, Fei
  • 马成 MA, Cheng
  • 王兆民 WANG, Zhaomin
  • 王欣洋 WANG, Xinyang
Agents
  • 深圳汉世知识产权代理事务所(特殊普通合伙) CHINA HUNS IP
Priority Data
202010659009.909.07.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) IMAGE SENSOR PIXEL CIRCUIT, IMAGE SENSOR, AND DEPTH CAMERA
(FR) CIRCUIT DE PIXELS DE CAPTEUR D'IMAGE, CAPTEUR D'IMAGE ET CAMÉRA DE PROFONDEUR
(ZH) 一种图像传感器像素电路、图像传感器及深度相机
Abstract
(EN) Disclosed in the present application is an image sensor pixel circuit, comprising: a charge generation unit used for converting an incident optical signal into an electrical signal and comprising a photodiode and a plurality of exposure control transistors; a charge storage unit connected to the charge generation unit and configured to store the electrical signal; a charge transfer unit connected to the charge storage unit and configured to transfer the electrical signal to a readout unit; and the readout unit configured to transfer the electrical signal of the charge storage unit as a pixel and read a signal of the pixel, wherein a plurality of electrical signals are respectively obtained by means of the plurality of exposure control transistors from a signal generated by the photodiode, and charges accumulated by the photodiode are alternately stored in corresponding charge storage units by means of the plurality of exposure control transistors. The pixel structure of the present application can support a global exposure mode, and noise can be reduced, so as to satisfy high-precision and long-distance measurement.
(FR) Est divulgué dans la présente demande un circuit de pixels de capteur d'image, comprenant : une unité de génération de charge utilisée pour convertir un signal optique incident en un signal électrique et comprenant une photodiode et une pluralité de transistors de contrôle de l'exposition ; une unité de stockage de charge connectée à l'unité de génération de charge et conçue pour stocker le signal électrique ; une unité de transfert de charge connectée à l'unité de stockage de charge et conçue pour transférer le signal électrique à une unité de lecture ; et l'unité de lecture étant conçue pour transférer le signal électrique de l'unité de stockage de charge en tant que pixel et lire un signal du pixel, une pluralité de signaux électriques étant respectivement obtenus au moyen de la pluralité de transistors de contrôle de l'exposition à partir d'un signal généré par la photodiode et les charges accumulées par la photodiode étant stockées en alternance dans des unités de stockage de charge correspondantes au moyen de la pluralité de transistors de contrôle de l'exposition. La structure de pixel de la présente demande peut prendre en charge un mode d'exposition globale et le bruit peut être réduit, de façon à obtenir une mesure de précision élevée et longue distance.
(ZH) 本申请公开了一种图像传感器像素电路,包括:电荷生成单元,用于将入射的光信号转换成电信号,其包括有光电二极管以及多个曝光控制晶体管;电荷存储单元,连接电荷生成单元,被配置为存储所述电信号;电荷传输单元,连接电荷存储单元,被配置为将电信号传输至读出单元;读出单元,被配置为将电荷存储单元的电信号作为像素传输以及读取像素的信号;其中,所述光电二极管产生的信号通过多个曝光控制晶体管分别得到多个电信号,通过多个曝光控制晶体管交替地将光电二极管累积的电荷存储至对应的电荷存储单元。本申请像素结构能够支持全局曝光模式,并且可降低噪声,从而可满足高精度、远距离的测量。
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