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1. WO2022007156 - VOLTAGE CONTROL METHOD AND CIRCUIT FOR ANTI-FUSE MEMORY ARRAY

Publication Number WO/2022/007156
Publication Date 13.01.2022
International Application No. PCT/CN2020/112748
International Filing Date 01.09.2020
IPC
G11C 17/16 2006.1
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
17Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
14in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
16using electrically-fusible links
G11C 17/18 2006.1
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
17Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
14in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
18Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
G11C 5/14 2006.1
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
5Details of stores covered by group G11C11/63
14Power supply arrangements
Applicants
  • 中国电子科技集团公司第二十四研究所 NO.24 RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION [CN]/[CN]
Inventors
  • 王妍 WANG, Yan
  • 张培健 ZHANG, Peijian
  • 徐鸣远 XU, Mingyuan
  • 陈仙 CHEN, Xian
  • 蒋飞宇 JIANG, Feiyu
  • 廖希异 LIAO, Xiyi
  • 邱盛 QIU, Sheng
  • 张正元 ZHANG, Zhengyuan
  • 李儒章 LI, Ruzhang
  • 蒋和全 JIANG, Hequan
  • 戴永红 DAI, Yonghong
Agents
  • 上海光华专利事务所(普通合伙) J.Z.M.C. PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE (GENERAL PARTNERSHIP)
Priority Data
202010661652.510.07.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) VOLTAGE CONTROL METHOD AND CIRCUIT FOR ANTI-FUSE MEMORY ARRAY
(FR) PROCÉDÉ ET CIRCUIT DE COMMANDE DE TENSION POUR RÉSEAU DE MÉMOIRE ANTI-FUSIBLE
(ZH) 一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法及电路
Abstract
(EN) Provided are a voltage control method and circuit for an anti-fuse memory array. The method comprises: acquiring a storage data address, dividing the storage data address into a plurality of bit segments, decoding each bit segment, and then converting same into a group of control signals by means of a group of high-voltage level converters; and each group of control signals accessing a group of data selectors, sequentially connecting multiple groups of data selectors in series, outputting, under the action of each group of control signals and to an anti-fuse unit, a selection voltage input into the data selectors, and encoding or reading the anti-fuse unit corresponding to the storage data address, wherein the selection voltage at least comprises an encoding selection voltage, a reading selection voltage and a non-specified anti-fuse unit selection voltage. By means of the present invention, while programming/reading is realized, the number of pipes can be effectively reduced and the layout area is reduced.
(FR) Un procédé et un circuit de commande de tension destinés à un réseau de mémoire anti-fusible sont divulgués. Le procédé fait appel aux étapes suivantes : l'acquisition d'une adresse de données de stockage, la division de l'adresse de données de stockage en une pluralité de segments de bit, le décodage de chaque segment de bit, puis la conversion de celui-ci en un groupe de signaux de commande au moyen d'un groupe de convertisseurs de niveau de haute tension ; et chaque groupe de signaux de commande accédant à un groupe de sélecteurs de données, la connexion de manière séquentielle de multiples groupes de sélecteurs de données en série, la sortie, sous l'action de chaque groupe de signaux de commande et vers une unité anti-fusible, d'une tension de sélection entrée dans les sélecteurs de données, et le codage et la lecture de l'unité anti-fusible correspondant à l'adresse de données de stockage, la tension de sélection comprenant au moins une tension de sélection de codage, une tension de sélection de lecture et une tension de sélection d'unité anti-fusible non spécifiée. Au moyen de la présente invention, pendant qu'une programmation/lecture est réalisée, le nombre de canaux de communication peut être efficacement réduit et la zone d'implantation est réduite.
(ZH) 本发明提出一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法及电路,包括获取存储数据地址,将所述存储数据地址划分为多个位段,每个所述位段经过译码后,通过一组高电压电平转换器转换为一组控制信号;每组所述控制信号接入一组数据选择器,通过多组所述数据选择器依次串接,在每组所述控制信号作用下将输入所述数据选择器的选择电压输出至反熔丝单元,并对所述存储数据地址对应的反熔丝单元进行编码或读取;其中,所述选择电压至少包括:编码选择电压、读取选择电压、非指定反熔丝单元选择电压;本发明在实现编程/读取的同时,可有效减少管子的数量,节约版图面积。
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