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1. WO2022006567 - MULTIPLE-FREQUENCY ULTRASONIC SENSOR SYSTEM

Publication Number WO/2022/006567
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/US2021/070498
International Filing Date 30.04.2021
IPC
G06K 9/00 2006.1
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
KRECOGNITION OF DATA; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
9Methods or arrangements for reading or recognising printed or written characters or for recognising patterns, e.g. fingerprints
Applicants
  • QUALCOMM INCORPORATED [US]/[US]
Inventors
  • STROHMANN, Jessica Liu
  • PANCHAWAGH, Hrishikesh Vijaykumar
  • BUCHAN, Nicholas Ian
  • LU, Yipeng
  • DJORDJEV, Kostadin Dimitrov
Agents
  • SAMPSON, Roger S.
  • WEAVER, Jeffrey K.
  • AUSTIN, James E.
  • VILLENEUVE, Joseph M.
  • GRIFFITH, John F.
  • BERGIN, Denise S.
  • SCHOLZ, Christian D.
  • CHANG, Ko-Fang
  • MARTINEZ-LEMKE, Sheila
  • MCMILLAN, Scott L.
  • SANI, Babak
  • SANI, Barmak S.
  • TSAI, Patricia
  • TSE, Michael
Priority Data
16/946,71701.07.2020US
Publication Language English (en)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) MULTIPLE-FREQUENCY ULTRASONIC SENSOR SYSTEM
(FR) SYSTÈME DE DÉTECTION ULTRASONORE MULTIFRÉQUENCE
Abstract
(EN) An ultrasonic sensor system may include an ultrasonic transceiver layer, a thin-film transistor (TFT) layer proximate a first side of the ultrasonic transceiver layer, a frequency-splitting layer proximate a second side of the ultrasonic transceiver layer and a high-impedance layer proximate the frequency-splitting layer. The frequency-splitting layer may reside between the ultrasonic transceiver layer and the high-impedance layer. The high-impedance layer may have a higher acoustic impedance than the frequency-splitting layer.
(FR) Un système de détection ultrasonore peut comprendre une couche d'émission-réception ultrasonore, une couche transistor à couches minces (TFT) à proximité d'un premier côté de la couche d'émission-réception ultrasonore, une couche de division de fréquence à proximité d'un second côté de la couche d'émission-réception ultrasonore et une couche à haute impédance à proximité de la couche de division de fréquence. La couche de division de fréquence peut résider entre la couche d'émission-réception ultrasonore et la couche à haute impédance. La couche à haute impédance peut avoir une impédance acoustique supérieure à celle de la couche de division de fréquence.
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