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1. WO2022005654 - SEMICONDUCTOR STRUCTURE CONTAINING PRE-POLYMERIZED PROTECTIVE LAYER AND METHOD OF MAKING THEREOF

Publication Number WO/2022/005654
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/US2021/034405
International Filing Date 27.05.2021
IPC
H01L 23/00 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
Applicants
  • SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US]/[US]
Inventors
  • ARAI, Hajime
Agents
  • RADOMSKY, Leon
  • COHN, Joanna
  • CONNOR, David
  • COUGHLIN, Timothy
  • GAYOSO, Tony
  • GILL, Matthew
  • HANSEN, Robert M.
  • HONG, Mae
  • HUANG, Stephen D.
  • HYAMS, David
  • JOHNSON, Timothy
  • MAZAHERY, Benjamin
  • MELLO, John Paul
  • MURPHY, Timothy
  • NORRIS, Christine
  • O'BRIEN, Michelle
  • PARK, Byeongju
  • SHAUNESSY, Kevin
  • MILLER, Phillip E.
  • RAYNOLDS, James
Priority Data
16/918,18901.07.2020US
16/918,19701.07.2020US
Publication Language English (en)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE CONTAINING PRE-POLYMERIZED PROTECTIVE LAYER AND METHOD OF MAKING THEREOF
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE CONTENANT UNE COUCHE PROTECTRICE PRÉ-POLYMÉRISÉE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract
(EN) A method of forming a semiconductor structure includes providing a semiconductor wafer including a plurality of semiconductor dies, providing a polymerized material layer, attaching the polymerized material layer to the semiconductor wafer such that the polymerized material layer is polymerized prior to the step of attaching the polymerized material layer to the semiconductor wafer, applying and patterning an etch mask layer over the polymerized material layer, such that openings are formed through the etch mask layer, etching portions of the polymerized material layer that are proximal to the openings through the etch mask layer by applying an etchant into the openings through the etch mask layer in an etch process, and removing the etch mask layer selective to the polymerized material layer. Alternatively, a patterned polymerized material layer may be transferred from a transfer substrate to the semiconductor wafer.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'une structure semi-conductrice comprenant la fourniture d'une tranche de semi-conducteur comprenant une pluralité de puces semi-conductrices, la fourniture d'une couche de matériau polymérisé, la fixation de la couche de matériau polymérisé à la tranche de semi-conducteur de telle sorte que la couche de matériau polymérisé soit polymérisée avant l'étape de fixation de la couche de matériau polymérisé à la tranche de semi-conducteur, l'application et la formation de motifs d'une couche de masque de gravure sur la couche de matériau polymérisé, de telle sorte que des ouvertures soient formées à travers la couche de masque de gravure, la gravure des parties de la couche de matériau polymérisé qui sont proximales aux ouvertures à travers la couche de masque de gravure par application d'un agent de gravure dans les ouvertures à travers la couche de masque de gravure dans un processus de gravure et l'élimination de la couche de masque de gravure sélective vis-à-vis de la couche de matériau polymérisé. En variante, une couche de matériau polymérisé à motifs peut être transférée d'un substrat de transfert à la tranche de semi-conducteur.
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