Processing

Please wait...

PATENTSCOPE will be unavailable a few hours for maintenance reason on Tuesday 25.01.2022 at 9:00 AM CET
Settings

Settings

Goto Application

1. WO2022004807 - SEMICONDUCTOR DEVICE

Publication Number WO/2022/004807
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/JP2021/024812
International Filing Date 30.06.2021
IPC
H01L 29/78 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66Types of semiconductor device
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched
76Unipolar devices
772Field-effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
Applicants
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 萩野 勇志 HAGINO Takeshi
  • 合田 健太 GOUDA Kenta
Agents
  • 特許業務法人ゆうあい特許事務所 YOU-I PATENT FIRM
Priority Data
2020-11597203.07.2020JP
Publication Language Japanese (ja)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract
(EN) Provided is a semiconductor device in which vertical MOSFETs of the same structure are formed in a main cell region (Rm) and a sense cell region (Rs). The sense cell region is defined as a rectangular region surrounding an operation region of a semiconductor switching element formed as a sense cell. The sense cell region has a lateral dimension in one direction of the main cell region, specifically a dimension in the same direction as the longitudinal direction of a gate wiring layer (8), and a longitudinal dimension in a direction perpendicular to the lateral dimension, wherein the longitudinal dimension is greater than or equal to the lateral dimension.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur dans lequel des MOSFET verticaux de la même structure sont formés dans une région de cellule principale (Rm) et une région de cellule de détection (Rs). La région de cellule de détection est définie comme une région rectangulaire entourant une région de fonctionnement d'un élément de commutation à semi-conducteur formé en tant que cellule de détection. La région de cellule de détection présente une dimension latérale dans une direction de la région de cellule principale, plus particulièrement une dimension dans la même direction que la direction longitudinale d'une couche de câblage de grille (8), et une dimension longitudinale dans une direction perpendiculaire à la dimension latérale, la dimension longitudinale étant supérieure ou égale à la dimension latérale.
(JA) メインセル領域(Rm)およびセンスセル領域(Rs)に同じ構造の縦型MOSFETが形成された半導体装置において、センスセル領域は、センスセルとして形成される半導体スイッチング素子の動作領域を囲む四角形状の領域として規定され、該メインセル領域における一方向、具体的にはゲート配線層(8)の長手方向と同方向の寸法を横方向寸法、該横方向寸法に対して垂直な方向の寸法を縦方向寸法として、縦方向寸法を横方向寸法以上とする。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau