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1. WO2022004393 - NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT

Publication Number WO/2022/004393
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/JP2021/022901
International Filing Date 16.06.2021
IPC
H01L 33/32 2010.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
H01L 33/38 2010.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
Applicants
  • ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN [JP]/[JP]
Inventors
  • 光井 靖智 MITSUI, Yasutomo
  • 廣木 均典 HIROKI, Masanori
  • 林 茂生 HAYASHI, Shigeo
  • 粂 雅博 KUME, Masahiro
Agents
  • 新居 広守 NII, Hiromori
  • 寺谷 英作 TERATANI, Eisaku
  • 道坂 伸一 MICHISAKA, Shinichi
Priority Data
2020-11502102.07.2020JP
Publication Language Japanese (ja)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子
Abstract
(EN) This nitride semiconductor light emitting element (1) is provided with: a substrate (11); a rectangular semiconductor multilayer body (1s) that comprises an n-type semiconductor layer (12), an active layer (13) and a p-type semiconductor layer (14), which are sequentially stacked on a main surface (11a) of the substrate (11); a p-side contact electrode (16) that is in contact with the p-type semiconductor layer (14) in a p-side contact region (60); and an n-side contact electrode (15) that is in contact with the n-type semiconductor layer (12) in an n-side contact region (40). When the main surface (11a) is viewed in plan, the semiconductor multilayer body (1s) has a first corner part (C1); the n-side contact region (40) has a linear first region (41) that extends in one direction from a first starting point (S1) which is positioned at a distance from the first corner part (C1); the p-side contact region (60) is arranged between the first starting point (S1) and the first corner part (C1); and the distance (r1) between the first corner part (C1) and the first starting point (S1) is 0.26 times the length (a) of the short side of the semiconductor multilayer body (1s) or less.
(FR) Élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure (1) pourvu : d'un substrat (11) ; d'un corps multicouche semi-conducteur rectangulaire (1s) qui comprend une couche semi-conductrice de type n (12), une couche active (13) et une couche semi-conductrice de type p (14), qui sont empilées de manière séquentielle sur une surface principale (11a) du substrat (11) ; d'une électrode de contact côté p (16) qui est en contact avec la couche semi-conductrice de type p (14) dans une région de contact côté p (60) ; et d'une électrode de contact côté n (15) qui est en contact avec la couche semi-conductrice de type n (12) dans une région de contact côté n (40). Lorsque la surface principale (11a) est vue en plan, le corps multicouche semi-conducteur (1s) présente une première partie coin (C1) ; la région de contact côté n (40) présente une première région linéaire (41) qui s'étend dans une direction depuis d'un premier point de départ (S1) qui est positionné à une certaine distance de la première partie coin (C1) ; la région de contact côté p (60) est disposée entre le premier point de départ (S1) et la première partie coin (C1) ; et la distance (r1) entre la première partie coin (C1) et le premier point de départ (S1) fait 0,26 fois la longueur (a) du côté court du corps multicouche semi-conducteur (1s) ou moins.
(JA) 窒化物半導体発光素子(1)は、基板(11)と、基板(11)の主面(11a)の上方に順に積層されたn型半導体層(12)、活性層(13)、及びp型半導体層(14)を有し、矩形の半導体積層体(1s)と、p型半導体層(14)とp側コンタクト領域(60)において接するp側コンタクト電極(16)と、n型半導体層(12)とn側コンタクト領域(40)において接するn側コンタクト電極(15)とを備え、主面(11a)の平面視において、半導体積層体(1s)は第1の角部(C1)を有し、n側コンタクト領域(40)は、第1の角部(C1)と離間して配置された第1の始点(S1)から1方に延伸する直線状の第1の領域(41)を有し、第1の始点(S1)と第1の角部(C1)との間にはp側コンタクト領域(60)が配置され、第1の角部(C1)と第1の始点(S1)との距離(r1)は、半導体積層体(1s)の短辺の長さ(a)の0.26倍以下である。
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