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1. WO2022004292 - JUNCTION SEMICONDUCTOR LIGHT-RECEIVING ELEMENT AND PRODUCTION METHOD FOR JUNCTION SEMICONDUCTOR LIGHT-RECEIVING ELEMENT

Publication Number WO/2022/004292
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/JP2021/021655
International Filing Date 08.06.2021
IPC
H01L 31/10 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
H01L 21/02 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Applicants
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 石崎 順也 ISHIZAKI Junya
Agents
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio
  • 小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro
  • 大塚 徹 OTSUKA Toru
Priority Data
2020-11566503.07.2020JP
Publication Language Japanese (ja)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) JUNCTION SEMICONDUCTOR LIGHT-RECEIVING ELEMENT AND PRODUCTION METHOD FOR JUNCTION SEMICONDUCTOR LIGHT-RECEIVING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR À JONCTION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR À JONCTION
(JA) 接合型半導体受光素子及び接合型半導体受光素子の製造方法
Abstract
(EN) The present invention is a junction semiconductor light-receiving element (100) in which an epitaxial layer serving as a device functional layer (10) is joined, via a joining material layer (20), with a support substrate (30) comprising a material which differs from that of the device functional layer (10), the junction semiconductor light-receiving element (100) being characterized in that a protrusion-recess pattern (10B) is formed on the joining surface (10A) of the device functional layer (10). The present invention thereby provides a junction semiconductor light-receiving element (100) capable of exhibiting excellent mechanical strength and a production method capable of producing a junction semiconductor light-receiving element (100) having high mechanical strength.
(FR) La présente invention concerne un élément récepteur de lumière à semi-conducteur à jonction (100) dans lequel une couche épitaxiale servant de couche fonctionnelle de dispositif (10) est jointe, par l'intermédiaire d'une couche de matériau de liaison (20), avec un substrat de support (30) comprenant un matériau qui diffère de celui de la couche fonctionnelle du dispositif (10), l'élément récepteur de lumière à semi-conducteur à jonction (100) étant caractérisé en ce qu'un motif de protubérances et de cavités (10B) est formé sur la surface de jonction (10A) de la couche fonctionnelle de dispositif (10). La présente invention concerne ainsi un élément récepteur de lumière à semi-conducteur à jonction (100) susceptible de présenter une excellente résistance mécanique et un procédé de production susceptible de produire un élément récepteur de lumière à semi-conducteur à jonction (100) offrant une excellente résistance mécanique.
(JA) 本発明は、デバイス機能層(10)となるエピタキシャル層と該デバイス機能層(10)とは異なる材料の支持基板(30)とが接合材層(20)を介して接合された接合型半導体受光素子(100)であって、前記デバイス機能層(10)の接合面(10A)に凹凸パターン(10B)が形成されているものであることを特徴とする接合型半導体受光素子(100)である。これにより、優れた機械的強度を示すことができる接合型半導体受光素子(100)、及び機械的強度の高い接合型半導体受光素子(100)を製造できる製造方法を提供される。
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