(EN) The present invention provides a semiconductor device and imaging device capable of suppressing a short channel effect. The semiconductor device comprises a semiconductor substrate and a transistor provided to the semiconductor substrate. The transistor includes: a main surface; a semiconductor region having a first side surface which intersects the main surface; a gate insulation film provided on the semiconductor region; a gate electrode provided on the gate insulation film; a channel region which is covered by the gate insulation film and the gate electrode in the semiconductor region; and a source region and a drain region of a first conductivity type and adjoining the channel region. In a plan view from the normal direction of the main surface, the semiconductor region includes a first site which extends in a first direction and a second site which extends in a second direction intersecting the first direction from the first site. The channel region includes a first channel region present on the main surface and a second channel region present on the first side surface and extending in the depth direction of the semiconductor region.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un dispositif d'imagerie capables de supprimer un effet de canal court. Le dispositif à semi-conducteur comprend un substrat semi-conducteur, et un transistor disposé sur le substrat semi-conducteur. Le transistor comprend : une surface principale ; une région semi-conductrice ayant une première surface latérale qui coupe la surface principale ; un film d'isolation de grille disposé sur la région semi-conductrice ; une électrode de grille disposée sur le film d'isolation de grille ; une région de canal qui est recouverte par le film d'isolation de grille et l'électrode de grille dans la région semi-conductrice ; et une région de source et une région de drain d'un premier type de conductivité et adjacentes à la région de canal. Dans une vue en plan à partir de la direction normale de la surface principale, la région semi-conductrice comprend un premier site qui s'étend dans une première direction et un second site qui s'étend dans une seconde direction croisant la première direction à partir du premier site. La région de canal comprend une première région de canal présente sur la surface principale et une seconde région de canal présente sur la première surface latérale et s'étendant dans le sens de la profondeur de la région semi-conductrice.
(JA) 短チャネル効果を抑制可能な半導体装置及び撮像装置を提供する。半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に設けられたトランジスタと、を備える。トランジスタは、主面と、主面と交差する第1側面とを有する半導体領域と、半導体領域上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、半導体領域においてゲート絶縁膜及びゲート電極で覆われたチャネル領域と、チャネル領域に隣接する第1導電型のソース領域及びドレイン領域と、を有する。主面の法線方向からの平面視で、半導体領域は、 第1方向に延設された第1部位と、第1部位から第1方向と交差する第2方向に延設された第2部位と、を有する。チャネル領域は、主面に存在する第1チャネル領域と、第1側面に存在し、半導体領域の深さ方向に延びた第2チャネル領域と、を有する。