Processing

Please wait...

PATENTSCOPE will be unavailable a few hours for maintenance reason on Tuesday 25.01.2022 at 12:00 PM CET
Settings

Settings

Goto Application

1. WO2022003925 - OPTICAL TRANSMITTER

Publication Number WO/2022/003925
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/JP2020/026103
International Filing Date 02.07.2020
IPC
H01S 5/026 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors or drivers
Applicants
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 陳 明晨 CHIN Meishin
  • 進藤 隆彦 SHINDO Takahiko
  • 金澤 慈 KANAZAWA Shigeru
Agents
  • 特許業務法人 谷・阿部特許事務所 TANI & ABE, P.C.
Priority Data
Publication Language Japanese (ja)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) OPTICAL TRANSMITTER
(FR) ÉMETTEUR OPTIQUE
(JA) 光送信器
Abstract
(EN) This optical transmitter [AXEL(100C)], in which the quality of an optical signal waveform is maintained, comprises a distributed Bragg reflector (4) in a manner such that the distributed Bragg reflector (4) is coupled to an exit end surface of an SOA (3) inside an optical circuit part (50) that includes an optical waveguide core part formed on an upper surface of a substrate. Inside the optical circuit part (50), a diffraction grating (22) formed on an upper surface side of an EA optical modulator (2) facing an absorption layer (110) and a diffraction grating (23) formed on an upper surface side of a reflection layer (112) of the distributed Bragg reflector (4) have wavelength selectivity. Accordingly, it is possible to appropriately set the electric field application state of the EA optical modulator (2) and the wavelength selectivity of reflection wavelengths of the diffraction gratings (22), (23) of the EA optical modulator (2) and the distributed Bragg reflector (4). As a result, even when light is incident into the SOA (3), it is possible to make adjustments to suppress a sudden change in the carrier density of the optical signal amplified by the SOA (3) and output said optical signal from the distributed Bragg reflector (4).
(FR) Émetteur optique [AXEL (100C)], dans lequel la qualité d'une forme d'onde de signal optique est maintenue, comprenant un réflecteur de Bragg distribué (4) d'une manière telle que le réflecteur de Bragg distribué (4) est couplé à une surface d'extrémité de sortie d'un SOA (3) à l'intérieur d'une partie de circuit optique (50) qui comprend une partie centrale de guide d'ondes optique formée sur une surface supérieure d'un substrat. À l'intérieur de la partie de circuit optique (50), un réseau de diffraction (22) formé sur un côté de surface supérieure d'un modulateur optique EA (2) faisant face à une couche d'absorption (110) et un réseau de diffraction (23) formé sur un côté de surface supérieure d'une couche de réflexion (112) du réflecteur de Bragg distribué (4) ont une sélectivité de longueur d'onde. En conséquence, il est possible de régler de manière appropriée l'état d'application de champ électrique du modulateur optique EA (2) et la sélectivité en longueur d'onde des longueurs d'onde de réflexion des réseaux de diffraction (22), (23) du modulateur optique EA (2) et du réflecteur de Bragg distribué (4). Par conséquent, même lorsqu'une lumière est incidente dans le SOA (3), il est possible de réaliser des ajustements pour supprimer un changement soudain de la densité de porteurs du signal optique amplifié par le SOA (3) et pour émettre ledit signal optique à partir du réflecteur de Bragg distribué (4).
(JA) 光信号波形の品質が保持される光送信器[AXEL(100C)]は、基板の上面に形成された光導波路コア部を含む光回路部(50)の内部にSOA(3)の出射端面に結合されるように分布ブラッグ反射器(4)を備える。光回路部(50)の内部では、EA光変調器(2)の吸収層(110)に対向する上面側に形成された回折格子(22)と分布ブラッグ反射器(4)の反射層(112)の上面側に形成された回折格子(23)とが波長選択性を有している。これにより、EA光変調器(2)の電界印加状態とEA光変調器(2)及び分布ブラッグ反射器(4)の回折格子(22)、(23)の反射波長の波長選択性とを適宜設定できる。この結果、SOA(3)に光が入射しても、SOA(3)で増幅される光信号のキャリア密度の急激な変化を抑制するように調節して分布ブラッグ反射器(4)から光出力できる。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau