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1. WO2022002733 - A METHOD FOR POSITIONING COMPONENTS ON A SUBSTRATE AND SUBSTRATES SUITABLE FOR THE METHOD

Publication Number WO/2022/002733
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/EP2021/067266
International Filing Date 23.06.2021
IPC
H01L 21/683 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components
683for supporting or gripping
H01L 33/00 2010.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Applicants
  • IMEC VZW [BE]/[BE]
  • UNIVERSITEIT GENT [BE]/[BE]
Inventors
  • STERKEN, Tom
  • VAN STEENBERGE, Geert
Agents
  • AWA SWEDEN AB
  • PATENT DEPARTMENT IMEC
Priority Data
20182867.029.06.2020EP
Publication Language English (en)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) A METHOD FOR POSITIONING COMPONENTS ON A SUBSTRATE AND SUBSTRATES SUITABLE FOR THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE POSITIONNEMENT DE COMPOSANTS SUR UN SUBSTRAT ET SUBSTRATS APPROPRIÉS POUR LE PROCÉDÉ
Abstract
(EN) A method for accurately positioning a component on a receiver substrate is provided, wherein the component is transferred from a donor substrate to a receiver substrate facing the donor substrate. The method comprises creating at least one nozzle at a predefined location in the area of contact between a blister forming layer on the donor substrate, and a component attached to the donor substrate by adhesion to the blister forming layer. The blister forming layer comprises at least a dynamic release layer, consisting of a dynamic release material, i.e. material that is vaporised when a laser beam of a given wavelength and flux density is directed to the donor substrate at the location of the component, from the back side of the donor substrate. The application of the laser beam thus creates a blister that contains vaporized dynamic release material.The blister expands until a nozzle is created, the nozzle allowing the vaporized dynamic release material to exit the blister and cause the release of the component and its propulsion towards the receiver substrate. The nozzle releases the material in the form of a narrow jet of gas, which improves the directionality of the transfer.
(FR) L'invention concerne un procédé de positionnement précis d'un composant sur un substrat récepteur, le composant étant transféré d'un substrat donneur à un substrat récepteur faisant face au substrat donneur. Le procédé comprend la création d'au moins une buse à un emplacement prédéfini dans la zone de contact entre une couche de formation de coque sur le substrat donneur, et un composant fixé au substrat donneur par adhérence à la couche de formation de coque. La couche de formation de coque comprend au moins une couche de libération dynamique, consistant en un matériau à libération dynamique, c'est-à-dire un matériau qui est vaporisé lorsqu'un faisceau laser d'une longueur d'onde et d'une densité de flux données est dirigé vers le substrat donneur à l'emplacement du composant, à partir du côté arrière du substrat donneur. L'application du faisceau laser crée ainsi une coque qui contient un matériau de libération dynamique vaporisé. La coque se dilate jusqu'à ce qu'une buse soit créée, la buse permettant au matériau de libération dynamique vaporisé de sortir de la coque et de provoquer la libération du composant et sa propulsion vers le substrat récepteur. La buse libère le matériau sous la forme d'un mince jet de gaz, ce qui améliore la directivité du transfert.
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