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1. WO2022001566 - SILICON-BASED TRAVELING WAVE ELECTRODE MODULATOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2022/001566
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/CN2021/097980
International Filing Date 02.06.2021
IPC
G02F 1/03 2006.1
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
03based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels or Kerr effect
G02B 6/10 2006.1
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
10of the optical waveguide type
Applicants
  • 苏州旭创科技有限公司 INNOLIGHT TECHNOLOGY (SUZHOU) LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 闫冬冬 YAN, Dongdong
  • 李显尧 LI, Xianyao
Priority Data
202010601740.629.06.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SILICON-BASED TRAVELING WAVE ELECTRODE MODULATOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) MODULATEUR D'ÉLECTRODE À ONDE PROGRESSIVE À BASE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 硅基行波电极调制器及其制作方法
Abstract
(EN) Disclosed in the present application are a silicon-based traveling wave electrode modulator and a manufacturing method therefor. The silicon-based electrode modulator comprises a silicon substrate, an insulating layer and an optical waveguide layer stacked in sequence, and traveling wave electrodes provided on the optical waveguide layer; the optical waveguide layer comprises an optical waveguide and doped contact regions on both sides of the optical waveguide; the traveling wave electrodes are electrically connected to the doped contact regions by means of conductive via holes; the silicon substrate has a first surface and a second surface opposite to each other, and the second surface is adjacent to the insulating layer; and the area of the silicon substrate located under the optical waveguide is provided with a trench penetrating the first surface and the second surface. The trench is provided at the position of the silicon substrate located under the optical waveguide so as to reduce the microwave loss of the modulator, so that the bandwidth of the modulator can be effectively increased; and the trench is filled with a lossless medium to enhance the mechanical strength, thereby improving the reliability, stability, and product yield of the modulator.
(FR) Sont divulgués dans la présente invention un modulateur d'électrode à onde progressive à base de silicium et son procédé de fabrication. Le modulateur d'électrode à base de silicium comprend un substrat de silicium, une couche isolante et une couche de guide d'ondes optique empilées en séquence, et des électrodes à ondes progressives disposées sur la couche de guide d'ondes optique ; la couche de guide d'ondes optique comprend un guide d'ondes optique et des régions de contact dopées des deux côtés du guide d'ondes optique ; les électrodes à ondes progressives sont électriquement connectées aux régions de contact dopées au moyen de trous d'interconnexion conducteurs ; le substrat de silicium a une première surface et une seconde surface opposées l'une à l'autre, et la seconde surface est adjacente à la couche isolante ; et la zone du substrat de silicium située sous le guide d'ondes optique est pourvue d'une tranchée pénétrant dans la première surface et la seconde surface. La tranchée est disposée au niveau de la position du substrat de silicium située sous le guide d'ondes optique de façon à réduire la perte de micro-ondes du modulateur, de telle sorte que la largeur de bande du modulateur peut être efficacement augmentée ; et la tranchée est remplie d'un milieu sans perte pour améliorer la résistance mécanique, ce qui permet d'améliorer la fiabilité, la stabilité et le rendement en produit du modulateur.
(ZH) 本申请公开了一种硅基行波电极调制器及其制作方法,该硅基电极调制器包括依次层叠的硅衬底、绝缘层和光波导层,以及设于所述光波导层上的行波电极;所述光波导层包括光波导和光波导两侧的掺杂接触区,所述行波电极通过导电过孔与所述掺杂接触区电连接;所述硅衬底具有相对的第一表面和第二表面,所述第二表面临近所述绝缘层;所述硅衬底位于所述光波导下方的区域设有贯穿所述第一表面和第二表面的沟槽。在硅衬底位于光波导下方的位置设置沟槽,以减少调制器的微波损耗,可有效提高调制器的带宽;在沟槽内填充无损耗介质,以增强机械强度,提高调制器的可靠性、稳定性和产品良率。
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