(EN) A semiconductor device and a manufacturing method therefor. The semiconductor device manufacturing method comprises: providing a semiconductor substrate (300), and forming an underlying metal layer (301) on the semiconductor substrate (300); forming a dielectric layer (302) on the underlying metal layer (301); forming a top metal layer (303) on the dielectric layer (302); and patterning the top metal layer (303) to remove the top metal layer (303) not within a capacitor region, so as to form an upper polar plate (305). The dielectric layer (302) comprises stacked insulation layers (3020) and modification layers (3021), one modification layer (3021) is located between adjacent insulation layers (3020), and the insulation layers (3020) being thicker than the modification layers (3021).
(FR) Dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur consiste à : fournir un substrat semi-conducteur (300), et former une couche métallique sous-jacente (301) sur le substrat semi-conducteur (300) ; former une couche diélectrique (302) sur la couche métallique sous-jacente (301) ; former une couche métallique supérieure (303) sur la couche diélectrique (302) ; et former des motifs sur la couche métallique supérieure (303) pour retirer la couche métallique supérieure (303) non dans une région de condensateur, de manière à former une plaque polaire supérieure (305). La couche diélectrique (302) comprend des couches d'isolation (3020) et des couches de modification (3021) empilées, une couche de modification (3021) étant située entre des couches d'isolation (3020) adjacentes, et les couches d'isolation (3020) étant plus épaisses que les couches de modification (3021).
(ZH) 一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件的制作方法包括：提供半导体衬底(300)，在所述半导体衬底(300)上形成底层金属层(301)；在所述底层金属层(301)上形成介质层(302)；在所述介质层(302)上形成顶层金属层(303)；对所述顶层金属层(303)进行图形化，以去除电容区域之外的所述顶层金属层(303)，以形成上极板(305)，其中，所述介质层(302)包括层叠设置的绝缘层(3020)和改性层(3021)，所述改性层(3021)位于相邻的所述绝缘层(3020)之间，且所述绝缘层(3020)的厚度大于所述改性层(3021)的厚度。
