Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2022001519 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2022/001519
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/CN2021/096329
International Filing Date 27.05.2021
IPC
H01L 49/02 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
49Solid state devices not provided for in groups H01L27/-H01L47/99; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Thin-film or thick-film devices
CPC
H01L 28/40
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
H01L 49/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
49Solid state devices not provided for in groups H01L27/00 - H01L47/00 and H01L51/00 and not provided for in any other subclass; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Thin-film or thick-film devices
Applicants
  • 无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 缪海生 MIAO, Haisheng
  • 张建栋 ZHANG, Jiandong
  • 冯冰 FENG, Bing
Agents
  • 广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE
Priority Data
202010634353.202.07.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 半导体器件及其制作方法
Abstract
(EN) A semiconductor device and a manufacturing method therefor. The semiconductor device manufacturing method comprises: providing a semiconductor substrate (300), and forming an underlying metal layer (301) on the semiconductor substrate (300); forming a dielectric layer (302) on the underlying metal layer (301); forming a top metal layer (303) on the dielectric layer (302); and patterning the top metal layer (303) to remove the top metal layer (303) not within a capacitor region, so as to form an upper polar plate (305). The dielectric layer (302) comprises stacked insulation layers (3020) and modification layers (3021), one modification layer (3021) is located between adjacent insulation layers (3020), and the insulation layers (3020) being thicker than the modification layers (3021).
(FR) Dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur consiste à : fournir un substrat semi-conducteur (300), et former une couche métallique sous-jacente (301) sur le substrat semi-conducteur (300) ; former une couche diélectrique (302) sur la couche métallique sous-jacente (301) ; former une couche métallique supérieure (303) sur la couche diélectrique (302) ; et former des motifs sur la couche métallique supérieure (303) pour retirer la couche métallique supérieure (303) non dans une région de condensateur, de manière à former une plaque polaire supérieure (305). La couche diélectrique (302) comprend des couches d'isolation (3020) et des couches de modification (3021) empilées, une couche de modification (3021) étant située entre des couches d'isolation (3020) adjacentes, et les couches d'isolation (3020) étant plus épaisses que les couches de modification (3021).
(ZH) 一种半导体器件及其制作方法,该半导体器件的制作方法包括:提供半导体衬底(300),在所述半导体衬底(300)上形成底层金属层(301);在所述底层金属层(301)上形成介质层(302);在所述介质层(302)上形成顶层金属层(303);对所述顶层金属层(303)进行图形化,以去除电容区域之外的所述顶层金属层(303),以形成上极板(305),其中,所述介质层(302)包括层叠设置的绝缘层(3020)和改性层(3021),所述改性层(3021)位于相邻的所述绝缘层(3020)之间,且所述绝缘层(3020)的厚度大于所述改性层(3021)的厚度。
Related patent documents
Latest bibliographic data on file with the International Bureau