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1. WO2022001507 - SEMICONDUCTOR DEVICE, AND OXYGEN REMOVAL METHOD FOR SAME

Publication Number WO/2022/001507
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/CN2021/095915
International Filing Date 26.05.2021
IPC
H01L 21/67 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components
C23C 16/44 2006.1
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition (CVD) processes
44characterised by the method of coating
Applicants
  • 长鑫存储技术有限公司 CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN]/[CN]
Inventors
  • 左敏 ZUO, Min
Agents
  • 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) SHANGHAI WINSUN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Priority Data
202010603283.429.06.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND OXYGEN REMOVAL METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION D'OXYGÈNE
(ZH) 半导体设备和半导体设备的除氧方法
Abstract
(EN) A semiconductor device (100) and an oxygen removal method for the semiconductor device (100). The semiconductor device (100) comprises: a process chamber (1), an oxygen removal pipe (2) and an oxygen detection apparatus (3), wherein the oxygen detection apparatus (3) comprises an oxygen detection pipe (31), a conversion ball valve (32) and an oxygen sensor (36); the oxygen detection pipe (31) comprising a first pipe (311), a second pipe (312) and a third pipe (313), with the first pipe (311), the second pipe (312) and the third pipe (313) being arranged in parallel and being separately connected to the oxygen removal pipe (2) and the conversion ball valve (32); the oxygen sensor (36) is arranged on the third pipe (313); and the conversion ball valve (32) is configured such that, during an oxygen removal stage, the conversion ball valve (32) is in communication with the first pipe (311) and the second pipe (312), and during an oxygen detection stage, the conversion ball valve (32) is in communication with the first pipe (311) and the third pipe (313). The semiconductor device (100) can prevent residual gases with a high oxygen concentration from flowing to the oxygen sensor (36) to make the machine give an alarm, and can also prevent the gases with a high oxygen concentration from flowing to the oxygen sensor (36) to accelerate the aging of the oxygen sensor (36).
(FR) Dispositif à semi-conducteurs (100) et procédé d'élimination d'oxygène destiné au dispositif à semi-conducteurs (100). Le dispositif à semi-conducteurs (100) comprend : une chambre de traitement (1), un tuyau d'élimination d'oxygène (2) et un appareil de détection d'oxygène (3), l'appareil de détection d'oxygène (3) comprenant un tuyau de détection d'oxygène (31), un clapet à bille de conversion (32) et un capteur d'oxygène (36) ; le tuyau de détection d'oxygène (31) comprenant un premier tuyau (311), un deuxième tuyau (312) et un troisième tuyau (313), le premier tuyau (311), le deuxième tuyau (312) et le troisième tuyau (313) étant disposés en parallèle et étant raccordés séparément au tuyau d'élimination d'oxygène (2) et au clapet à bille de conversion (32) ; le capteur d'oxygène (36) étant disposé sur le troisième tuyau (313) ; et le clapet à bille de conversion (32) étant conçu de telle sorte que, pendant un étage d'élimination d'oxygène, le clapet à bille de conversion (32) est en communication avec le premier tuyau (311) et le deuxième tuyau (312), et pendant un étage de détection d'oxygène, le clapet à bille de conversion (32) est en communication avec le premier tuyau (311) et le troisième tuyau (313). Le dispositif à semi-conducteurs (100) peut empêcher des gaz résiduels ayant une concentration élevée en oxygène de circuler vers le capteur d'oxygène (36) pour faire en sorte que la machine émette une alarme, et peut également empêcher les gaz ayant une concentration élevée en oxygène de circuler vers le capteur d'oxygène (36) pour accélérer le vieillissement du capteur d'oxygène (36).
(ZH) 一种半导体设备(100)和半导体设备(100)的除氧方法,所述半导体设备(100)包括:制程腔体(1)、除氧管道(2)和氧气检测装置(3),氧气检测装置(3)包括氧气检测管路(31)、转换球阀(32)和氧传感器(36),氧气检测管路(31)包括第一管路(311)、第二管路(312)和第三管路(313),第一管路(311)、第二管路(312)和第三管路(313)并联设置且分别均与除氧管道(2)和转换球阀(32)相连,氧传感器(36)设在第三管路(313)上,转换球阀(32)被构造成:在除氧阶段,转换球阀(32)连通第一管路(311)和第二管路(312),在氧气检测阶段,转换球阀(32)连通第一管路(311)和第三管路(313)。该半导体设备(100)能够避免残留的高氧浓度气体流向氧传感器(36)而使得机台发出警报,也可避免高氧浓度气体流经氧传感器(36)而加速氧传感器(36)的老化。
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