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1. WO2022001470 - LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND DISPLAY PANEL

Publication Number WO/2022/001470
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/CN2021/095172
International Filing Date 21.05.2021
IPC
H01L 51/50 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes (OLED) or polymer light emitting devices (PLED)
H01L 51/56 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes (OLED) or polymer light emitting devices (PLED)
56Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof
H01L 27/32 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes
Applicants
  • 京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN]/[CN]
  • 北京京东方技术开发有限公司 BEIJING BOE TECHNOLOGY DEVELOPMENT CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 李东 LI, Dong
  • 克里斯塔尔鲍里斯 KRISTAL, Boris
Agents
  • 北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES
Priority Data
202010619865.130.06.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND DISPLAY PANEL
(FR) DISPOSITIF À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PANNEAU D'AFFICHAGE
(ZH) 发光二极管器件及其制备方法、显示面板
Abstract
(EN) A light-emitting diode device and a production method therefor, and a display panel. The light-emitting diode device comprises a substrate (110), a first electrode layer (120), an electron transport layer (130), a quantum dot light-emitting layer (140), and a second electrode layer (150). The first electrode layer (120) is stacked on the substrate (110); the electron transport layer (130) is stacked on the surface of the first electrode layer (120) away from the substrate (110); the quantum dot light-emitting layer (140) is stacked on the surface of the electron transport layer (130) away from the first electrode layer (120); and the second electrode layer (150) is stacked on the surface of the quantum dot light-emitting layer (140) away from the electron transport layer (130), wherein the surface of the electron transport layer (130) away from the first electrode layer (120) is a first uneven surface comprising a plurality of protrusions. By configuring the surface where the electron transport layer (130) is in contact with the quantum dot light-emitting layer (140) to be a first uneven surface comprising a plurality of protrusions, the contact area between the electron transport layer (130) and the quantum dot light-emitting layer (140) can be increased, thereby relieving the problem of carrier imbalance in the quantum dot light-emitting layer (140) caused by little electron injection, and also alleviating the problem of Auger recombination of excitons in the quantum dot light-emitting layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif à diodes électroluminescentes et son procédé de fabrication et un panneau d'affichage. Le dispositif à diodes électroluminescentes comprend un substrat (110), une première couche d'électrode (120), une couche de transport d'électrons (130), une couche électroluminescente à points quantiques (140), et une seconde couche d'électrode (150). La première couche d'électrode (120) est empilée sur le substrat (110) ; la couche de transport d'électrons (130) est empilée sur la surface de la première couche d'électrode (120) à l'opposé du substrat (110) ; la couche électroluminescente à points quantiques (140) est empilée sur la surface de la couche de transport d'électrons (130) à l'opposé de la première couche d'électrode (120) ; et la seconde couche d'électrode (150) est empilée sur la surface de la couche électroluminescente à points quantiques (140) à l'opposé de la couche de transport d'électrons (130), la surface de la couche de transport d'électrons (130) à l'opposé de la première couche d'électrode (120) étant une première surface irrégulière comprenant une pluralité de saillies. En configurant la surface où la couche de transport d'électrons (130) est en contact avec la couche électroluminescente à points quantiques (140) pour être une première surface irrégulière comprenant une pluralité de saillies, la zone de contact entre la couche de transport d'électrons (130) et la couche électroluminescente à points quantiques (140) peut être augmentée, ce qui permet de soulager le problème du déséquilibre de porteurs dans la couche électroluminescente à points quantiques (140) provoquée par une faible injection d'électrons, et ce qui réduit également le problème de recombinaison Auger des excitons dans la couche électroluminescente à points quantiques.
(ZH) 一种发光二极管器件及其制备方法、显示面板。该发光二极管器件包括衬底(110)、第一电极层(120)、电子传输层(130)、量子点发光层(140)以及第二电极层(150)。第一电极层(120)层叠设置在衬底(110)上;电子传输层(130)层叠设置在第一电极层(120)远离衬底(110)的表面上;量子点发光层(140)层叠设置在电子传输层(130)远离第一电极层(120)的表面上;第二电极层(150)层叠设置在量子点发光层(140)远离电子传输层(130)的表面上;其中,电子传输层(130)远离第一电极层(120)的表面为包括多个凸起的第一凹凸表面。由此,通过使电子传输层(130)与量子点发光层(140)接触的表面为包括多个凸起的第一凹凸表面,可以增加电子传输层(130)与量子点发光层(140)的接触面积,从而改善由于电子注入少而引起的量子点发光层(140)中载流子不平衡的问题,同时改善量子点发光层激子俄歇复合的问题。
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