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1. WO2022001468 - THIN FILM TRANSISTOR, DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS

Publication Number WO/2022/001468
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/CN2021/095028
International Filing Date 21.05.2021
IPC
H01L 29/786 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66Types of semiconductor device
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched
76Unipolar devices
772Field-effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin-film transistors
Applicants
  • 京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN]/[CN]
  • 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 ORDOS YUANSHENG OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 王成龙 WANG, Chenglong
  • 方业周 FANG, Yezhou
  • 李峰 LI, Feng
  • 姚磊 YAO, Lei
  • 闫雷 YAN, Lei
  • 李凯 LI, Kai
  • 候林 HOU, Lin
  • 朱晓刚 ZHU, Xiaogang
  • 高云 GAO, Yun
  • 彭艳召 PENG, Yanzhao
  • 叶腾 YE, Teng
  • 杨桦 YANG, Hua
Agents
  • 北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS
Priority Data
202010614083.930.06.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) THIN FILM TRANSISTOR, DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET APPAREIL D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管、显示基板及显示装置
Abstract
(EN) A thin film transistor, a display substrate and a display apparatus, which belong to the technical field of display. The thin film transistor comprises: a base (10); and a gate electrode, an active layer (12), a source electrode (13) and a drain electrode (14), which are located on the base (10), wherein the gate electrode comprises a first gate electrode (111) and a second gate electrode (112), which are successively arranged on the base (10) and are in electrical connection; the active layer (12) is located between the first gate electrode (111) and the second gate electrode (112); an orthographic projection of each of the first gate electrode (111) and the second gate electrode (112) on the base (10) partially overlaps with an orthographic projection of the active layer (12) on the base (10); and the orthographic projections of the first gate electrode (111) and the second gate electrode (112) on the base (10) partially overlap with each other.
(FR) Transistor à couches minces, substrat d'affichage et appareil d'affichage se rapportant au domaine technique de l'affichage. Le transistor à couches minces comprend : une base (10) ; et une électrode de grille, une couche active (12), une électrode de source (13) et une électrode de drain (14) qui sont situées sur la base (10), l'électrode de grille comprenant une première électrode de grille (111) et une seconde électrode de grille (112) qui sont placées successivement sur la base (10) et sont en connexion électrique ; la couche active (12) est située entre la première électrode de grille (111) et la seconde électrode de grille (112) ; une projection orthographique de chacune de la première électrode de grille (111) et de la seconde électrode de grille (112) sur la base (10) chevauche partiellement une projection orthographique de la couche active (12) sur la base (10) ; et les projections orthographiques de la première électrode de grille (111) et de la seconde électrode de grille (112) sur la base (10) se chevauchent partiellement l'une l'autre.
(ZH) 一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置,属于显示技术领域。薄膜晶体管,其包括:基底(10),位于所述基底(10)上的栅极、有源层(12)、源极(13)和漏极(14);其中,所述栅极包括依次设置所述基底(10)上、且电连接的第一栅极(111)和第二栅极(112);所述有源层(12)位于所述第一栅极(111)和所述第二栅极(112)之间;且所述第一栅极(111)和所述第二栅极(112)在所述基底(10)上的正投影均与所述有源层(12)在所述基底(10)上正投影部分重叠;所述第一栅极(111)和所述第二栅极(112)在所述基底(10)上的正投影部分重叠。
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