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1. WO2022001065 - SEMICONDUCTOR DEVICE INTEGRATING POWER SUPPLY GATING CIRCUIT BY USING SILICON CONNECTION LAYER

Publication Number WO/2022/001065
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/CN2020/141240
International Filing Date 30.12.2020
IPC
H01L 25/18 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/-H01L51/160
H01L 23/48 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads or terminal arrangements
H02M 1/08 2006.1
HELECTRICITY
02GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
H02M 1/00 2007.1
HELECTRICITY
02GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
Applicants
  • 无锡中微亿芯有限公司 WUXI ESIONTECH CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 范继聪 FAN, Jicong
  • 单悦尔 SHAN, Yueer
  • 徐彦峰 XU, Yanfeng
  • 张艳飞 ZHANG, Yanfei
  • 闫华 YAN, Hua
Agents
  • 广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE
Priority Data
202010620154.601.07.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE INTEGRATING POWER SUPPLY GATING CIRCUIT BY USING SILICON CONNECTION LAYER
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR INTÉGRANT UN CIRCUIT DE DÉCLENCHEMENT D'ALIMENTATION ÉLECTRIQUE À L'AIDE D'UNE COUCHE DE CONNEXION EN SILICIUM
(ZH) 利用硅连接层集成电源门控电路的半导体装置
Abstract
(EN) The present application relates to the technology of semiconductors. Disclosed is a semiconductor device integrating a power supply gating circuit by using a silicon connection layer. An active silicon connection layer is provided inside the semiconductor device to integrate a bare chip; a power supply end of a bare chip function module in the bare chip is connected to a connection point leading-out end by means of a silicon stack connection point; the power supply gating circuit is provided in the silicon connection layer; a power supply output end of the power supply gating circuit in the silicon connection layer is connected to the corresponding connection point leading-out end of the bare chip so as to be connected to the power supply end of the bare chip function module; the power supply gating circuit can control power supply to the bare chip function module according to an obtained dormancy control signal, so that the bare chip function module which does not work enters a dormancy state to achieve the purpose of saving power consumption. Moreover, the power supply gating circuit is arranged on the silicon connection layer, the manufacturing difficulty is low, and the problems of high processing difficulty and a greater occupied chip area caused by the arrangement in the bare chip can be avoided.
(FR) La présente demande se rapporte à la technologie des semi-conducteurs. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur intégrant un circuit de déclenchement d'alimentation électrique à l'aide d'une couche de connexion en silicium. Une couche de connexion en silicium active est disposée à l'intérieur du dispositif à semi-conducteur pour intégrer une puce nue ; une extrémité d'alimentation électrique d'un module de fonction de puce nue dans la puce nue est connectée à une extrémité de sortie de point de connexion au moyen d'un point de connexion de pile en silicium ; le circuit de déclenchement d'alimentation électrique est disposé dans la couche de connexion en silicium ; une extrémité de sortie d'alimentation électrique du circuit de déclenchement d'alimentation électrique dans la couche de connexion de silicium est connectée à l'extrémité de sortie de point de connexion correspondante de la puce nue de façon à être connectée à l'extrémité d'alimentation électrique du module de fonction de puce nue ; le circuit de déclenchement d'alimentation électrique peut commander l'alimentation électrique du module fonctionnel de puce nue en fonction d'un signal de commande de dormance obtenu, de telle sorte que le module de fonction de puce nue qui ne fonctionne pas entre dans un état de dormance pour réaliser le but d'économiser la consommation d'énergie. De plus, le circuit de déclenchement d'alimentation électrique est disposé sur la couche de connexion en silicium, la difficulté de fabrication est faible, et les problèmes de difficulté de traitement élevée et d'une plus grande superficie de puce occupée causés par l'agencement dans la puce nue peuvent être évités.
(ZH) 本申请公开了一种利用硅连接层集成电源门控电路的半导体装置,涉及半导体技术,该半导体装置内部设置有源的硅连接层以集成裸片,裸片内部的裸片功能模块的电源端通过硅堆叠连接点连接到连接点引出端,硅连接层内布设电源门控电路,利用硅连接层内的电源门控电路的电源输出端连接裸片相应的连接点引出端从而连接至裸片功能模块的电源端,电源门控电路可以根据获取到的休眠控制信号控制给裸片功能模块的供电,从而使不工作的裸片功能模块进入休眠状态以达到节约功耗的目的;且电源门控电路布设在硅连接层、制作难度低,也可以避免布设在裸片内会存在的加工难度大和占用较大芯片面积的问题。
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