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1. WO2022000929 - METHOD FOR IMPROVING DATA RETENTION CAPABILITY OF NOR FLASH MEMORY, SYSTEM, STORAGE MEDIUM, AND TERMINAL

Publication Number WO/2022/000929
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/CN2020/128142
International Filing Date 11.11.2020
IPC
G11C 16/30 2006.1
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
30Power supply circuits
Applicants
  • 芯天下技术股份有限公司 XTX TECHNOLOGY INC. [CN]/[CN]
Inventors
  • 鲍奇兵 BAO, Toby
Agents
  • 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) HEIKO F&I INTELLECTUAL PROPERTY AGENT
Priority Data
202010604177.829.06.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR IMPROVING DATA RETENTION CAPABILITY OF NOR FLASH MEMORY, SYSTEM, STORAGE MEDIUM, AND TERMINAL
(FR) PROCÉDÉ POUR AMÉLIORER LA CAPACITÉ DE RÉTENTION DE DONNÉES D'UNE MÉMOIRE FLASH NON-OU, SYSTÈME, SUPPORT DE STOCKAGE, ET TERMINAL
(ZH) 提高非型闪存数据保持能力方法、系统、存储介质和终端
Abstract
(EN) A method for improving a data retention capability of a nor flash memory, a system, a storage medium, and a terminal. A Vt value of data 0 is regularly detected and recovered, when it is detected that the Vt value of the data 0 is less than a set value, a program operation is performed on the data 0 to increase the Vt value thereof so as to cause the data 0 to return to a normal Vt value; the detection and recovery operation is executed for all non-volatile memory cells inside a chip and is executed when the chip is in an idle state, when a timer inside the chip reaches a set time, the chip automatically detects whether the chip is in a busy state, and when it is determined that the chip is in the idle state, a detection and recovery function for the Vt value of the data 0 is enabled; and an upper computer can also actively start a recovery operation for flash data 0.
(FR) Procédé pour améliorer une capacité de rétention de données d'une mémoire flash NON-OU, système, support de stockage, et terminal. Une valeur Vt de données 0 est régulièrement détectée et récupérée, lorsqu'il est détecté que la valeur Vt des données 0 est inférieure à une valeur définie, une opération de programme est effectuée sur les données 0 afin d'augmenter la valeur Vt associée de façon à amener les données 0 à revenir à une valeur Vt normale ; l'opération de détection et de récupération est exécutée pour toutes les cellules de mémoire non volatile à l'intérieur d'une puce et est exécutée lorsque la puce est dans un état inactif, lorsqu'un temporisateur à l'intérieur de la puce atteint un temps défini, la puce détecte automatiquement si la puce est dans un état occupé, et lorsqu'il est déterminé que la puce est dans l'état inactif, une fonction de détection et de récupération pour la valeur Vt des données 0 est activée ; et un ordinateur supérieur peut également démarrer activement une opération de récupération pour des données flash 0.
(ZH) 一种提高非型闪存数据保持能力方法、系统、存储介质和终端,定时检测和修复数据0的Vt值,当检测到数据0的Vt值低于设定值的时候,对其进行program操作,提高其Vt值,使其重新恢复正常Vt值;本检测和修复操作针对芯片内部所有非易失存储单元,在芯片处于空闲状态时进行,当芯片内部定时器达到设定的时间,芯片自动检测是否处于忙状态,当确认芯片处于空闲状态时,启动数据0的Vt值检测和修复功能;上位机也可主动启动flash数据0修复操作。
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