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1. WO2022000349 - IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND IMAGING DEVICE CARRYING SAME

Publication Number WO/2022/000349
Publication Date 06.01.2022
International Application No. PCT/CN2020/099595
International Filing Date 30.06.2020
IPC
H01L 27/146 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
Applicants
  • 深圳市大疆创新科技有限公司 SZ DJI TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 徐泽 XU, Ze
  • 肖琳 XIAO, Lin
  • 周雪梅 ZHOU, Xuemei
Agents
  • 深圳市力道知识产权代理事务所(普通合伙) SHENZHEN LIDAO INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY (GENERAL PARTNERSHIP)
Priority Data
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND IMAGING DEVICE CARRYING SAME
(FR) CAPTEUR D'IMAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'IMAGERIE LE COMPRENANT
(ZH) 图像传感器及其制作方法、搭载图像传感器的成像装置
Abstract
(EN) An image sensor, comprising: a semiconductor substrate having a first surface and a second surface; a photosensitive area located on the semiconductor substrate; and a readout circuit connected to the photosensitive area; wherein the photosensitive area comprises a first doped area and a second doped area; the first doped area is provided close to the first surface; grooves extending towards the first surface are formed in the second doped area; and groove walls of the grooves are provided with semiconductor layers. The present invention can improve the imaging effect. Further provided are a manufacturing method for an image sensor and an imaging device.
(FR) La présente invention concerne un capteur d'image comprenant : un substrat semi-conducteur ayant une première surface et une seconde surface ; une zone photosensible située sur le substrat semi-conducteur ; et un circuit de lecture connecté à la zone photosensible ; la zone photosensible comprenant une première zone dopée et une seconde zone dopée ; la première zone dopée étant disposée à proximité de la première surface ; des rainures s'étendant vers la première surface étant formées dans la seconde zone dopée ; et des parois de rainure des rainures étant pourvues de couches semi-conductrices. La présente invention permet d'améliorer l'effet d'imagerie. La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un capteur d'image et un dispositif d'imagerie.
(ZH) 一种图像传感器,包括:半导体衬底,具有第一表面和第二表面;位于半导体衬底上的感光区;读出电路,连接感光区;其中,感光区包括第一掺杂区和第二掺杂区,第一掺杂区靠近第一表面设置,第二掺杂区中形成有朝向第一表面延伸的沟槽,沟槽的槽壁上具有半导体层。能够提高成像效果。还提供了图像传感器的制作方法和成像装置。
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