(EN) The present application relates to the technical field of semiconductor photoelectrons, and in particular to a multi-active-region cascaded semiconductor laser. The multi-active-region cascaded semiconductor laser comprises: several cascaded active regions, each cascaded active region comprising a plurality of active regions; and a tunnel junction provided on at least one side of the cascaded active region and electrically connected to the cascaded active region, wherein in the cascaded active region, at least one group of adjacent active regions are connected by means of a barrier layer. In this way, more active regions can be added in a periodic gain structure, the internal quantum efficiency of the device is improved, and the density of carriers is also reduced, thus more gains are obtained. The barrier layer connection does not have the characteristic of introducing a new pn junction, thus the layer does not increase a working turn-on voltage of the device, and the epitaxial growth is simpler than that of the tunnel junction.
(FR) La présente demande se rapporte au domaine technique des photoélectrons à semi-conducteur, et concerne en particulier un laser à semi-conducteur à multi-régions actives en cascade. Le laser à semi-conducteur à multi-régions actives en cascade comprend : plusieurs régions actives en cascade, chaque région active en cascade comprenant une pluralité de régions actives ; et une jonction tunnel disposée sur au moins un côté de la région active en cascade et connectée électriquement à celle-ci. Dans la région active en cascade, au moins un groupe de régions actives adjacentes est relié au moyen d'une couche barrière. De cette manière, des régions plus actives peuvent être ajoutées dans une structure à gain périodique, le rendement quantique interne du dispositif est améliorée, et la densité de porteurs est également réduite, ce qui permet d'obtenir davantage de gains. La connexion de couche barrière n'a pas la caractéristique d'introduire une nouvelle jonction pn, ainsi, la couche n'augmente pas une tension de mise en marche du dispositif, et la croissance épitaxiale est plus simple que celle de la jonction tunnel.
(ZH) 本申请涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种多有源区级联的半导体激光器。所述多有源区级联的半导体激光器包括：若干级联有源区，每一所述级联有源区包括多个有源区；隧道结，在所述级联有源区的至少一侧设置，与所述级联有源区电连接；其中，在所述级联有源区中，至少一组相邻的所述有源区之间通过势垒层连接。这样周期性增益结构中可增加更多的有源区，提高了器件的内量子效率，同时也降低了载流子的密度，从而获得更多的增益。势垒层连接不具有引入新的pn结的特性，因此该层不会提高器件工作的开启的电压，同时外延生长也较隧道结简单。
