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1. WO2021241242 - SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Publication Number WO/2021/241242
Publication Date 02.12.2021
International Application No. PCT/JP2021/018152
International Filing Date 13.05.2021
IPC
H01L 21/3065 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
302to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
CPC
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
Applicants
  • 株式会社日立ハイテク HITACHI HIGH-TECH CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 荒巻 徹 ARAMAKI, Tooru
  • 斉藤 剛 SAITO, Go
  • 米田 健一郎 KOMEDA, Kenichiro
  • 榎本 祐治 ENOMOTO, Yuuji
  • 堤 貴志 TSUTSUMI, Takashi
Agents
  • 特許業務法人第一国際特許事務所 PATENT CORPORATE BODY DAI-ICHI KOKUSAI TOKKYO JIMUSHO
Priority Data
PCT/JP2020/02045625.05.2020JP
Publication Language Japanese (ja)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) SYSTÈME DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置製造システムおよび半導体装置製造方法
Abstract
(EN) Provided are a semiconductor device manufacturing system and a semiconductor device manufacturing method for reducing foreign material that has an adverse influence during a semiconductor device manufacturing process. In a semiconductor device manufacturing system provided with a semiconductor manufacturing device and a platform which is connected to the semiconductor manufacturing device via a network and on which a foreign material reduction process is performed, the foreign material reduction process comprises: a step for acquiring a foreign material characteristic value using a sample processed by the semiconductor manufacturing device; a step for identifying, by machine learning and on the basis of the acquired foreign material characteristic value and correlation data, a component of the semiconductor manufacturing device associated with development of foreign material; a step for defining, on the basis of the identified component, a cleaning condition for cleaning the semiconductor manufacturing device; and a step for cleaning the semiconductor manufacturing device using the defined cleaning condition. The correlation data comprises previously obtained data of correlation between the foreign material characteristic value and the component.
(FR) L'invention concerne un système de fabrication de dispositif à semi-conducteur et un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur pour réduire une matière étrangère qui a une influence défavorable pendant un processus de fabrication de dispositif à semi-conducteur. Dans un système de fabrication de dispositif à semi-conducteur pourvu d'un dispositif de fabrication à semi-conducteur et d'une plateforme qui est connectée au dispositif de fabrication à semi-conducteur par l'intermédiaire d'un réseau et sur laquelle un processus de réduction de matière étrangère est réalisé, le processus de réduction de matière étrangère comprend : une étape consistant à acquérir une valeur caractéristique de matière étrangère à l'aide d'un échantillon traité par le dispositif de fabrication à semi-conducteur ; une étape consistant à identifier, par apprentissage automatique et sur la base de la valeur caractéristique de matière étrangère acquise et de données de corrélation, un composant du dispositif de fabrication à semi-conducteur associé au développement d'une matière étrangère ; une étape consistant à définir, sur la base du composant identifié, une condition de nettoyage pour nettoyer le dispositif de fabrication à semi-conducteur ; et une étape consistant à nettoyer le dispositif de fabrication à semi-conducteur à l'aide de la condition de nettoyage définie. Les données de corrélation comprennent des données précédemment obtenues de corrélation entre la valeur caractéristique de matière étrangère et le composant.
(JA) 半導体デバイスの製造工程で悪影響を及ぼす異物を低減するための半導体製造装置システムおよび半導体装置製造方法を提供する。半導体製造装置と、ネットワークを介して前記半導体製造装置に接続され異物低減処理が実行されるプラットフォームとを備える半導体装置製造システムにおける前記異物低減処理は、前記半導体製造装置により処理された試料を用いて異物特性値を取得するステップと、機械学習により、前記取得された異物特性値と相関データを基に異物発生に起因する前記半導体製造装置の部品を特定するステップと、前記半導体製造装置をクリーニングするためのクリーニング条件を前記特定された部品を基に規定するステップと、前記規定されたクリーニング条件を用いて前記半導体製造装置をクリーニングするステップとを有し、前記相関データは、予め取得された前記異物特性値と前記部品との相関データである。
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