(EN) The present invention relates to the adaptive application of bias voltages (B) to the access transistors in the cells (21) in dynamic random access memory (DRAM) structures, according to the access pattern of the rows, in other words, whether the rows are accessed and/or how often rows are accessed.
(FR) La présente invention concerne l'application adaptative de tensions de polarisation (B) aux transistors d'accès dans les cellules (21) dans des structures de mémoire vive dynamique (DRAM), selon le motif d'accès des rangées, en d'autres termes, si on accède aux rangées et/ou à quelle fréquence on accède aux rangées.