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1. WO2021035752 - VARIABLE CAPACITOR, REFLECTIVE PHASE SHIFTER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Publication Number WO/2021/035752
Publication Date 04.03.2021
International Application No. PCT/CN2019/103882
International Filing Date 30.08.2019
IPC
H01G 5/38 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
5Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
38Multiple capacitors, e.g. ganged
CPC
H01G 5/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
5Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
38Multiple capacitors, e.g. ganged
Applicants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 王硕 WANG, Shuo
  • 彭嵘 PENG, Rong
Agents
  • 北京中博世达专利商标代理有限公司 BEIJING ZBSD PATENT&TRADEMARK AGENT LTD.
Priority Data
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) VARIABLE CAPACITOR, REFLECTIVE PHASE SHIFTER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CONDENSATEUR VARIABLE, DÉPHASEUR RÉFLÉCHISSANT ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 可变电容、反射型移相器和半导体设备
Abstract
(EN)
The present application relates to the technical field of electronics, and disclosed therein are a variable capacitor, a reflective phase shifter, and a semiconductor device, which are used to solve the problem in which the capacitance of a variable capacitor is sensitive to PVT variations. The variable capacitor comprises: a first comb structure and a first set of interdigital structures, the first comb structure comprising a plurality of comb teeth, the first set of interdigital structures comprising at least one interdigital structure, and the interdigital structure(s) in the first set of interdigital structures being provided between at least two comb teeth of the first comb structure and having no electrical contact; a second comb structure and a second set of interdigital structures, the second comb structure comprising a plurality of comb teeth, the second set of interdigital structures comprising at least one interdigital structure, and the interdigital structure(s) in the second set of interdigital structures being provided between at least two comb teeth of the first comb structure and having no electrical contact; and a switch for controlling whether there is electrical contact between at least one interdigital structure in the first set of interdigital structures and at least one interdigital structure in the second set of interdigital structures. The first comb structure, the first set of interdigital structures, the second comb structure, and the second set of interdigital structures are all made of a conductive material.
(FR)
La présente invention se rapporte au domaine technique de l'électronique, et concerne un condensateur variable, un déphaseur réfléchissant et un dispositif à semi-conducteur, qui sont utilisés pour résoudre le problème selon lequel la capacité d'un condensateur variable est sensible aux variations PVT. Le condensateur variable comprend : une première structure en peigne et un premier ensemble de structures interdigitées, la première structure en peigne comprenant une pluralité de dents de peigne, le premier ensemble de structures interdigitées comprenant au moins une structure interdigitée, et ladite structure interdigitée dans le premier ensemble de structures interdigitées étant disposée entre au moins deux dents de peigne de la première structure en peigne et n'ayant pas de contact électrique ; une seconde structure en peigne et un second ensemble de structures interdigitées, la seconde structure en peigne comprenant une pluralité de dents de peigne, le second ensemble de structures interdigitées comprenant au moins une structure interdigitée, et ladite structure interdigitée dans le second ensemble de structures interdigitées étant disposée entre au moins deux dents de peigne de la première structure en peigne et n'ayant pas de contact électrique ; et un commutateur pour commander un contact électrique entre au moins une structure interdigitée dans le premier ensemble de structures interdigitées et au moins une structure interdigitée dans le second ensemble de structures interdigitées. La première structure en peigne, le premier ensemble de structures interdigitées, la seconde structure en peigne et le second ensemble de structures interdigitées sont tous constitués d'un matériau conducteur.
(ZH)
本申请公开了一种可变电容、反射型移相器和半导体设备,涉及电子技术领域,用于解决可变电容的电容值随PVT变化敏感的问题。可变电容包括:第一梳状结构和第一组叉指,第一梳状结构包括多个梳齿,第一组叉指包括至少一个叉指,其中第一组叉指的叉指设置在第一梳状结构的至少两个梳齿之间并且无电接触;第二梳状结构和第二组叉指,第二梳状结构包括多个梳齿,第二组叉指包括至少一个叉指,其中第二组叉指的叉指设置在第一梳状结构的至少两个梳齿之间并且无电接触;以及用于控制第一组叉指的至少一个叉指和第二组叉指的至少一个叉指之间是否有电接触的开关;其中,第一梳状结构、第一组叉指、第二梳状结构以及第二组叉指均为导电材料。
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