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1. WO2021035436 - TEMPERATURE-BASED MEMORY MANAGEMENT

Publication Number WO/2021/035436
Publication Date 04.03.2021
International Application No. PCT/CN2019/102337
International Filing Date 23.08.2019
IPC
G11C 16/02 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
CPC
G11C 16/02
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
Applicants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventors
  • WU, Minjian
Agents
  • LEE AND LI - LEAVEN IPR AGENCY LTD.
Priority Data
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) TEMPERATURE-BASED MEMORY MANAGEMENT
(FR) GESTION DE MÉMOIRE BASÉE SUR LA TEMPÉRATURE
Abstract
(EN)
A memory device and method of operation are described. The memory device may include memory cells of a first type that each store a single bit of information and memory cells of a second type that each store multiple bits of information. The memory cells of the first type may be more robust to extreme operating conditions than the second type but may have one or more drawbacks (e.g., lower density). The memory device may identify data to be written, and in response, may identify a temperature of the memory device. If the temperature is within a nominal operating range associated with a low risk of memory errors, the memory device may write the data to the memory cells of the second type. If the temperature is outside the nominal operating range, the memory device may write the data to the memory cells of the first type.
(FR)
Un dispositif de mémoire et un procédé de fonctionnement sont décrits. Le dispositif de mémoire peut comprendre des cellules de mémoire d'un premier type qui stockent chacune un bit unique d'informations et des cellules de mémoire d'un second type qui stockent chacune de multiples bits d'informations. Les cellules de mémoire du premier type peuvent être plus robustes à des conditions de fonctionnement extrêmes que le second type mais peuvent présenter un ou plusieurs inconvénients (par exemple, une densité inférieure). Le dispositif de mémoire peut identifier des données à écrire, et en réponse, peut identifier une température du dispositif de mémoire. Si la température se situe dans une plage de fonctionnement nominale associée à un faible risque d'erreurs de mémoire, le dispositif de mémoire peut écrire les données dans les cellules de mémoire du second type. Si la température se trouve en dehors de la plage de fonctionnement nominal, le dispositif de mémoire peut écrire les données dans les cellules de mémoire du premier type.
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