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1. WO2021026702 - GATE DRIVE CIRCUIT

Publication Number WO/2021/026702
Publication Date 18.02.2021
International Application No. PCT/CN2019/100090
International Filing Date 09.08.2019
IPC
H02M 1/08 2006.01
HELECTRICITY
02GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
CPC
H02M 1/08
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
Applicants
  • 深圳欣锐科技股份有限公司 SHINRY TECHNOLOGIES CO.,LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 张盘龙 ZHANG, Panlong
  • 赵德琦 ZHAO, Deqi
  • 吴壬华 WU, Renhua
Agents
  • 广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM
Priority Data
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) GATE DRIVE CIRCUIT
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE DE GRILLE
(ZH) 门极驱动电路
Abstract
(EN)
Disclosed is a gate drive circuit, comprising: a rectification circuit, an energy supply circuit, an amplification circuit, a resistor, a MOS transistor and a transformer, wherein a first end of the transformer is connected to a first end of the amplification circuit and a first end of the rectification circuit; a second end of the transformer is connected to a source electrode of the MOS transistor and a second end of the energy supply circuit; a second end of the rectification circuit is connected to a first end of the energy supply circuit and a second end of the amplification circuit; a third end of the amplification circuit is connected to a first end of the resistor; a second end of the resistor is connected to a gate electrode of the MOS transistor; a drain electrode of the MOS transistor is connected to an external circuit; the transformer is used for generating a drive signal; the rectification circuit is used for controlling the energy supply circuit to perform charging; the amplification circuit is used for amplifying a signal output by the energy supply circuit and the drive signal generated by the transformer; and a signal output by the amplification circuit is used for driving the MOS transistor. The implementation of the embodiments of the present application can effectively enhance the drive capability supplied by a transformer to a gate drive circuit of a MOSFET.
(FR)
Circuit d'attaque de grille, comprenant : un circuit de redressement, un circuit d'alimentation en énergie, un circuit d'amplification, une résistance, un transistor MOS et un transformateur, une première extrémité du transformateur étant connectée à une première extrémité du circuit d'amplification et à une première extrémité du circuit de redressement ; une deuxième extrémité du transformateur est connectée à une électrode source du transistor MOS et à une deuxième extrémité du circuit d'alimentation en énergie ; une deuxième extrémité du circuit de redressement est connectée à une première extrémité du circuit d'alimentation en énergie et à une deuxième extrémité du circuit d'amplification ; une troisième extrémité du circuit d'amplification est connectée à une première extrémité de la résistance ; une deuxième extrémité de la résistance est connectée à une électrode grille du transistor MOS ; une électrode drain du transistor MOS est connectée à un circuit externe ; le transformateur est utilisé pour générer un signal d'attaque ; le circuit de redressement est utilisé pour commander le circuit d'alimentation en énergie pour effectuer une charge ; le circuit d'amplification est utilisé pour amplifier un signal délivré par le circuit d'alimentation en énergie et le signal d'attaque généré par le transformateur ; et un signal délivré par le circuit d'amplification est utilisé pour entraîner le transistor MOS. La mise en oeuvre des modes de réalisation de la présente invention peut améliorer efficacement la capacité d'entraînement fournie par un transformateur à un circuit d'attaque de grille d'un MOSFET.
(ZH)
本申请实施例公开了一种门极驱动电路,包括:整流电路、供能电路、放大电路、电阻器、MOS管和变压器;变压器的第一端连接放大电路的第一端和整流电路的第一端,变压器的第二端连接MOS管的源极和供能电路的第二端;整流电路的第二端连接供能电路的第一端和放大电路的第二端;放大电路的第三端连接电阻器的第一端;电阻器的第二端连接MOS管的栅极;MOS管的漏极连接外接电路;变压器用于产生驱动信号,整流电路用于控制供能电路进行充电,放大电路用于对供能电路输出的信号和变压器产生的驱动信号进行放大,放大电路输出的信号用于对MOS管进行驱动,实施本申请实施例,可以有效增强变压器对MOSFET门极驱动电路提供的驱动能力。
Also published as
CN201980005744.3
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