(EN) Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate having a first conductivity-type drift region; an inner region including a second conductivity-type base region provided between an upper surface of the semiconductor substrate and the drift region; and a well region which has a doping concentration higher than that of the base region, is provided from the upper surface of the semiconductor substrate to a position deeper than a lower end of the base region, and is disposed sandwiching the inner region on the upper surface of the semiconductor substrate. The inner region has a length in a lengthwise direction defined in advance on the upper surface of the semiconductor substrate, and includes a plurality of trench portions reaching from the upper surface of the semiconductor substrate to the drift region. At least one of the trench portions is separated into two or more partial trenches in the lengthwise direction in a region not overlapping the well region.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : un substrat semi-conducteur ayant une zone de migration d'un premier type de conductivité ; une zone interne comprenant une zone de base d'un second type de conductivité disposée entre une surface supérieure du substrat semi-conducteur et la zone de migration ; et une zone de puits qui a une concentration de dopage supérieure à celle de la zone de base, est disposée depuis la surface supérieure du substrat semi-conducteur jusqu'à une position plus profonde qu'une extrémité inférieure de la zone de base, et est disposée en prenant en sandwich la zone interne sur la surface supérieure du substrat semi-conducteur. La zone interne a une longueur dans une direction longitudinale définie à l'avance sur la surface supérieure du substrat semi-conducteur, et comprend une pluralité de parties tranchée s'étendant de la surface supérieure du substrat semi-conducteur à la zone de migration. Au moins une des parties tranchée est séparée en au moins deux tranchées partielles dans la direction longitudinale dans une zone ne chevauchant pas la zone de puits.
(JA) 第1導電型のドリフト領域を含む半導体基板と、半導体基板の上面とドリフト領域との間に設けられた第2導電型のベース領域を含む内側領域と、ベース領域よりドーピング濃度が高く、且つ、半導体基板の上面からベース領域の下端よりも深い位置まで設けられ、半導体基板の上面において内側領域を挟んで配置されたウェル領域とを備え、内側領域は、半導体基板の上面における予め定められた長手方向に長手を有し、半導体基板の上面からドリフト領域に達するトレンチ部を複数有し、少なくとも一つのトレンチ部は、ウェル領域と重ならない領域において、長手方向に2つ以上の部分トレンチに分離している半導体装置を提供する。