(EN) A GOA device and a gate drive circuit. The GOA device comprises at least two GOA units, wherein each of the GOA units comprises at least one pull-down maintenance unit, and the pull-down maintenance unit at least comprises a first thin-film transistor (100). The first thin-film transistor (100) comprises: a substrate (101), a first electrode (111) and a second electrode (112), wherein the potential of the first electrode (111) is different from the potential of the second electrode (112); and a third electrode (113), wherein the first electrode (111) or the second electrode (112) is electrically connected to the third electrode (113).
(FR) L'invention concerne un dispositif GOA et un circuit d'attaque de grille. Le dispositif GOA comprend au moins deux unités GOA, chacune des unités GOA comprenant au moins une unité de maintien d'excursion basse, et l'unité de maintien d'excursion basse comprenant au moins un premier transistor à couches minces (100). Le premier transistor à couches minces (100) comprend : un substrat (101), une première électrode (111) et une deuxième électrode (112), le potentiel de la première électrode (111) étant différent du potentiel de la deuxième électrode (112) ; et une troisième électrode (113), la première électrode (111) ou la deuxième électrode (112) étant électriquement connectée à la troisième électrode (113).
(ZH) 一种GOA器件及栅极驱动电路，该GOA器件包括至少两个GOA单元，该GOA单元包括至少一下拉维持单元；该下拉维持单元至少包括第一薄膜晶体管（100）。该第一薄膜晶体管（100）包括衬底（101）、第一电极（111）、第二电极（112），该第一电极（111）的电位与该第二电极（112）的电位不同；以及第三电极（113），该第一电极（111）或该第二电极（112）与该第三电极（113）电连接。