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1. WO2021002114 - LIGHT DETECTING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT DETECTING ELEMENT, AND IMAGE SENSOR

Publication Number WO/2021/002114
Publication Date 07.01.2021
International Application No. PCT/JP2020/020405
International Filing Date 22.05.2020
IPC
B82Y 20/00 2011.01
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE  OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
B82Y 40/00 2011.01
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE  OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
H01L 31/10 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
Applicants
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 小野 雅司 ONO Masashi
  • 高田 真宏 TAKATA Masahiro
  • 宮田 哲志 MIYATA Tetsushi
Agents
  • 中島 順子 NAKASHIMA Junko
  • 米倉 潤造 YONEKURA Junzo
  • 藤森 義真 FUJIMORI Yoshinao
  • 上出 真紀 KAMIDE Maki
Priority Data
2019-12310601.07.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) LIGHT DETECTING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT DETECTING ELEMENT, AND IMAGE SENSOR
(FR) ÉLÉMENT DE DÉTECTION DE LUMIÈRE, MÉTHODE DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE DÉTECTION DE LUMIÈRE ET CAPTEUR D'IMAGE
(JA) 光検出素子、光検出素子の製造方法およびイメージセンサ
Abstract
(EN)
Provided are a light detecting element having a high external quantum efficiency, a method for manufacturing the light detecting element, and an image sensor. This light detecting element includes a photoelectric conversion layer including a semiconductor quantum dot array between a first electrode layer and a second electrode layer, the first electrode layer being provided further toward the side on which light is incident than the second electrode layer, wherein a wavelength λ (nm) of light of interest detected by the light detecting element, and an optical path length Lλ (nm) of the light having a wavelength λ, from the surface of the second electrode layer on the photoelectric conversion layer side thereof to the surface of the photoelectric conversion layer on the first electrode layer side thereof, satisfy formula (1). m is an integer equal to or greater than 0. (1) 0.05+m/2≤Lλ/λ≤0.35+m/2
(FR)
L'invention concerne un élément de détection de lumière ayant un rendement quantique externe élevé, une méthode de fabrication de l'élément de détection de lumière, et un capteur d'image. Cet élément de détection de lumière comprend une couche de conversion photoélectrique comprenant un réseau de points quantiques semi-conducteurs entre une première couche d'électrode et une seconde couche d'électrode, la première couche d'électrode étant disposée davantage vers le côté sur lequel la lumière est incidente que la seconde couche d'électrode, une longueur d'onde λ (nm) de la lumière d'intérêt détectée par l'élément de détection de lumière, et une longueur de trajet optique Lλ de la lumière ayant une longueur d'onde λ, de la surface de la seconde couche d'électrode sur le côté de la couche de conversion photoélectrique associée à la surface de la couche de conversion photoélectrique sur le côté de la première couche d'électrode associée, satisfaisant à la formule (1). m est un nombre entier supérieur ou égal à 0. (1) 0,05+m/2≤Lλ/λ≤0,35+m/2
(JA)
高い外部量子効率を有する光検出素子、光検出素子の製造方法およびイメージセンサを提供する。第1の電極層と第2の電極層との間に半導体量子ドットの集合体を含む光電変換層を有し、第1の電極層が第2の電極層よりも光の入射側に設けられた光検出素子であって、光検出素子で検出する目的の光の波長λ(nm)と、第2の電極層の光電変換層側の表面から、光電変換層の第1の電極層側の表面までの波長λの光の光路長Lλ(nm)とが式(1)の関係を満す光検出素子。mは0以上の整数である。 0.05+m/2≦Lλ/λ≦0.35+m/2 ・・・(1)
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