Provided are a light detecting element having a high external quantum efficiency, a method for manufacturing the light detecting element, and an image sensor. This light detecting element includes a photoelectric conversion layer including a semiconductor quantum dot array between a first electrode layer and a second electrode layer, the first electrode layer being provided further toward the side on which light is incident than the second electrode layer, wherein a wavelength λ (nm) of light of interest detected by the light detecting element, and an optical path length L^λ (nm) of the light having a wavelength λ, from the surface of the second electrode layer on the photoelectric conversion layer side thereof to the surface of the photoelectric conversion layer on the first electrode layer side thereof, satisfy formula (1). m is an integer equal to or greater than 0. (1) 0.05+m/2≤L^λ/λ≤0.35+m/2

L'invention concerne un élément de détection de lumière ayant un rendement quantique externe élevé, une méthode de fabrication de l'élément de détection de lumière, et un capteur d'image. Cet élément de détection de lumière comprend une couche de conversion photoélectrique comprenant un réseau de points quantiques semi-conducteurs entre une première couche d'électrode et une seconde couche d'électrode, la première couche d'électrode étant disposée davantage vers le côté sur lequel la lumière est incidente que la seconde couche d'électrode, une longueur d'onde λ (nm) de la lumière d'intérêt détectée par l'élément de détection de lumière, et une longueur de trajet optique L^λ de la lumière ayant une longueur d'onde λ, de la surface de la seconde couche d'électrode sur le côté de la couche de conversion photoélectrique associée à la surface de la couche de conversion photoélectrique sur le côté de la première couche d'électrode associée, satisfaisant à la formule (1). m est un nombre entier supérieur ou égal à 0. (1) 0,05+m/2≤L^λ/λ≤0,35+m/2

高い外部量子効率を有する光検出素子、光検出素子の製造方法およびイメージセンサを提供する。第１の電極層と第２の電極層との間に半導体量子ドットの集合体を含む光電変換層を有し、第１の電極層が第２の電極層よりも光の入射側に設けられた光検出素子であって、光検出素子で検出する目的の光の波長λ（ｎｍ）と、第２の電極層の光電変換層側の表面から、光電変換層の第１の電極層側の表面までの波長λの光の光路長Ｌ^λ（ｎｍ）とが式（１）の関係を満す光検出素子。ｍは０以上の整数である。 ０．０５＋ｍ／２≦Ｌ^λ／λ≦０．３５＋ｍ／２　・・・（１）