(EN) The present invention comprises: a core (102) formed on a lower clad layer (101) and composed of an amorphous undoped semiconductor (i-type); a p-type layer (103) and an n-type layer (104) which are disposed on the lower clad layer (101) with the core (102) interposed therebetween, and formed in contact with the core (102). The core (102) is formed thicker than the p-type layer (103) and the n-type layer (104). The p-type layer (103) and the n-type layer (104) are composed of a single crystal silicon.
(FR) La présente invention comprend : un noyau (102) formé sur une couche de revêtement inférieure (101) et composé d'un semi-conducteur non dopé amorphe (type i) ; une couche de type p (103) et une couche de type n (104) qui sont disposées sur la couche de revêtement inférieure (101) avec le noyau (102) intercalé entre celles-ci, et formées en contact avec le noyau (102). Le noyau (102) est formé plus épais que la couche de type p (103) et la couche de type n (104). La couche de type p (103) et la couche de type n (104) sont composées d'un silicium monocristallin.
(JA) 下部クラッド層（１０１）の上に形成された、非晶質のアンドープの半導体（ｉ型）からなるコア（１０２）と、下部クラッド層（１０１）の上で、コア（１０２）を挾んで配置され、コア（１０２）に接して形成されたｐ型層（１０３）およびｎ型層（１０４）とを備える。コア（１０２）は、ｐ型層（１０３）およびｎ型層（１０４）より厚く形成されている。ｐ型層（１０３）およびｎ型層（１０４）は、単結晶シリコンから構成されている。