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1. WO2020237961 - SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT PREPARING METHOD, AND SOLID STATE IMAGING APPARATUS

Publication Number WO/2020/237961
Publication Date 03.12.2020
International Application No. PCT/CN2019/110219
International Filing Date 09.10.2019
IPC
H01L 27/146 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
Applicants
  • 宁波飞芯电子科技有限公司 NINGBO ABAX SENSING CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 雷述宇 LEI, Shuyu
Agents
  • 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) CHOFN INTELLECTUAL PROPERTY
Priority Data
201910473269.431.05.2019CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT PREPARING METHOD, AND SOLID STATE IMAGING APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(ZH) 半导体元件、半导体元件制备方法以及固态成像装置
Abstract
(EN)
A semiconductor element, a semiconductor element preparing method, and a solid state imaging apparatus. The semiconductor element comprises: a group of first modulation grids, a group of second modulation grids, a semiconductor region (11), a first storage region (121), and a second storage region (122). The group of first modulation grids and the group of second modulation grids are respectively provided with different voltages, the potential of a signal charge transfer path in the semiconductor region (11) is changed, and signal charges are controlled to move along a second direction; the first storage region (121) is directly connected to the first modulation grids (101), so that when the voltage of the first storage region (121) is higher than the voltage of the first modulation grids (101), and the first storage region (121) attracts first signal charges retained in the first modulation grids (101). Signal charges retained in the first modulation grids (101) or second modulation grids (102) are prevented from being transferred back to the semiconductor region (11), and thus the precision of signal charges output next time is improved.
(FR)
La présente invention concerne un élément semi-conducteur, un procédé de préparation d'élément semi-conducteur et un appareil d'imagerie à semi-conducteurs. L'élément semi-conducteur comprend : un groupe de premières grilles de modulation, un groupe de secondes grilles de modulation, une région semi-conductrice (11), une première région de stockage (121) et une seconde région de stockage (122). Le groupe de premières grilles de modulation et le groupe de secondes grilles de modulation sont respectivement alimentés en des tensions différentes, le potentiel d'un trajet de transfert de charge de signal dans la région semi-conductrice (11) est changé, et des charges de signal sont commandées pour se déplacer le long d'une seconde direction ; la première région de stockage (121) est directement connectée aux premières grilles de modulation (101), de telle sorte que, lorsque la tension de la première région de stockage (121) est supérieure à la tension des premières grilles de modulation (101), la première région de stockage (121) attire des premières charges de signal retenues dans les premières grilles de modulation (101). Les charges de signal retenues dans les premières grilles de modulation (101) ou les secondes grilles de modulation (102) sont empêchées d'être transférées en retour vers la région semi-conductrice (11), et ainsi la précision des charges de signal produites en sortie la fois suivante est améliorée.
(ZH)
一种半导体元件、半导体元件制备方法以及固态成像装置,该半导体元件包括:一组第一调制栅极、一组第二调制栅极、半导体区域(11)、第一存储区域(121)和第二存储区域(122),一组第一调制栅极与一组第二调制栅极分别设置不同的电压,改变半导体区域(11)中信号电荷转移路径的电位,控制信号电荷沿第二方向移动,第一存储区域(121)与第一调制栅极(101)直接连接,以使在第一存储区域(121)的电压高于第一调制栅极(101)的电压时,第一存储区域(121)吸引第一调制栅极(101)中存留的第一信号电荷;避免在第一调制栅极(101)或第二调制栅极(102)存留的信号电荷转移回半导体区域(11)中,进而提高下一次输出信号电荷精确度。
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau