Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020228285 - METHOD FOR PREPARING CAVITY TYPE BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR AND CAVITY TYPE BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR

Publication Number WO/2020/228285
Publication Date 19.11.2020
International Application No. PCT/CN2019/118089
International Filing Date 13.11.2019
IPC
H03H 3/02 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
CPC
H03H 2003/023
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
023the resonators or networks being of the membrane type
H03H 3/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
Applicants
  • 电子科技大学 UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA [CN]/[CN]
Inventors
  • 帅垚 SHUAI, Yao
  • 罗文博 LUO, Wenbo
  • 吴传贵 WU, Chuangui
Agents
  • 电子科技大学专利中心 UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY CENTER OF PATENT
Priority Data
201910393168.613.05.2019CN
Publication Language Chinese (ZH)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR PREPARING CAVITY TYPE BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR AND CAVITY TYPE BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN RÉSONATEUR À ONDES ACOUSTIQUES DE VOLUME DE TYPE À CAVITÉ ET RÉSONATEUR À ONDES ACOUSTIQUES DE VOLUME DE TYPE À CAVITÉ
(ZH) 空腔型体声波谐振器的制备方法及空腔型体声波谐振器
Abstract
(EN)
The present invention relates to the technical field of preparation of cavity type bulk acoustic wave resonators, and in particular to a method for preparing a cavity type bulk acoustic wave resonator and the cavity type bulk acoustic wave resonator. The method comprises the following steps of: performing damage treatment on a single crystal wafer by means of a single crystal wafer damage treatment process so as to obtain a single crystal wafer having a damage layer; successively preparing a lower electrode and a sacrificial layer on the lower surface of the single crystal wafer having the damage layer, preparing, on the surface of the sacrificial layer, a polymer bonding layer of which the thickness is greater than or equal to the sum of the thicknesses of the sacrificial layer and the lower electrode, and performing bonding process treatment and single crystal wafer splitting process treatment on a substrate and the polymer bonding layer then to obtain a single crystal film having the lower electrode; preparing an upper electrode on the upper surface of the single crystal film having the lower electrode, forming a sacrificial layer release hole communicated with the sacrificial layer in the upper surface of the single crystal film layer, and releasing the sacrificial layer to obtain a cavity type bulk acoustic wave resonator. The manufactured cavity type bulk acoustic wave resonator has a high Q value.
(FR)
La présente invention concerne le domaine technique de la préparation de résonateurs à ondes acoustiques de volume de type à cavité, et en particulier un procédé de préparation d'un résonateur à ondes acoustiques de volume de type à cavité et du résonateur à ondes acoustiques de volume de type à cavité. Le procédé comprend les étapes suivantes consistant à : effectuer un traitement d'endommagement sur une tranche monocristalline au moyen d'un processus de traitement d'endommagement de tranche monocristalline de façon à obtenir une tranche monocristalline ayant une couche d'endommagement ; préparer successivement une électrode inférieure et une couche sacrificielle sur la surface inférieure de la tranche monocristalline ayant la couche d'endommagement, préparer, sur la surface de la couche sacrificielle, une couche de liaison polymère dont l'épaisseur est supérieure ou égale à la somme des épaisseurs de la couche sacrificielle et de l'électrode inférieure, et réaliser un traitement de processus de liaison et un traitement de processus de division de tranche monocristalline sur un substrat et la couche de liaison de polymère, puis pour obtenir un film monocristallin ayant l'électrode inférieure ; préparer une électrode supérieure sur la surface supérieure du film monocristallin ayant l'électrode inférieure, former un trou de libération de couche sacrificielle en communication avec la couche sacrificielle dans la surface supérieure de la couche de film monocristallin, et libérer la couche sacrificielle pour obtenir un résonateur à ondes acoustiques de volume de type à cavité. Le résonateur à ondes acoustiques de volume de type à cavité fabriqué présente une valeur Q élevée.
(ZH)
本发明涉及空腔型体声波谐振器制备技术领域,尤其是涉及一种空腔型体声波谐振器的制备方法及空腔型体声波谐振器;包括如下步骤:通过单晶晶圆损伤处理工艺对单晶晶圆进行损伤处理,得到具有损伤层的单晶晶圆;在具有损伤层的单晶晶圆的下表面依次制备下电极和牺牲层,在牺牲层表面制备厚度大于等于牺牲层和下电极厚度总和的聚合物键合层,将衬底与聚合物键合层进行键合工艺处理及单晶晶圆劈裂工艺处理后,得到具有下电极的单晶薄膜;在具有下电极的单晶薄膜的上表面制备上电极,在单晶薄膜层上表面开设与牺牲层连通的牺牲层释放孔,释放牺牲层,得到空腔型体声波谐振器;制备得到的空腔型体声波谐振器具有较高Q值。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau