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1. WO2020228233 - HIGH-POWER SEMICONDUCTOR CHIP AND PREPARATION METHOD THEREFOR


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INTERNATIONAL SEARCH REPORT (ISR)
Part 1:  1  2  3  4  5  6          Part 2:  A  B  C  D  E 
国际申请号 申请人或代理人的档案号
PCT/CN2019/110897 SHP201900025
国际申请日 (年/月/日) (最早的)优先权日 (年/月/日)
2019年 10月 12日 2019年 5月 13日
申请人
苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
关于后续行为: 见PCT/ISA/220表和 适用时,见下面第5项
按照条约第18条,本国际检索报告由本国际检索单位做出并送交申请人。报告副本送交国际局。
它还附有本报告所引用的各现有技术文件的副本。
1. 报告的基础
a. 关于语言,进行国际检索基于:
国际申请提交时使用的语言。
该国际申请的                                          语言译文,为了国际检索的目的提供该种语言的译文(细则12.3(a)和23.1(b))。
b.
本国际检索报告考虑了本单位许可或被通知的根据细则91所做出的明显错误更正(细则43.6之二(a))。
c.
关于国际申请中所公开的任何核苷酸和/或氨基酸序列,国际检索是基于下列序列表进行的:
2. 某些权利要求被认为是不能检索的
3. 缺乏发明的单一性
4. 发明名称
同意申请人提出的发明名称。
发明名称由本单位确定如下:
5. 摘要
同意申请人提出的摘要。
根据细则38.2(b),摘要由本单位制定,如第IV栏中所示。自本国际检索报告发文日起一个月内,申请人可以向本单位提出意见。

一种高功率半导体芯片及其制备方法,半导体芯片包括:自下至上依次设置的衬底(1)、下限制层(2)、下波导层(3)、有源层(4)、上波导层(5)、侧向光栅层(10)、上限制层(6)、接触层(7)、电流隔离介质层(8)以及金属层(9);其中,侧向光栅层(10)包括多组侧向光栅,多组侧向光栅沿第一方向依次设置,多组侧向光栅的周期各不相同,每组侧向光栅包括多条光栅,多条光栅沿第二方向排布,第一方向与第二方向相交。通过在波导内设置侧向光栅层(10),提高了高阶光侧向模式在波导内的传播损耗,达到了抑制高阶光侧向模式激射的目的;设置多组周期不同的光栅,抑制了由于单一光栅增益调制和折射率调制引起的强度振荡光模式的激射,达到抑制侧向光强度周期振荡的作用,消除远场双峰。


6. 附图
a.
随摘要一起公布的附图是:     2    
按照申请人建议的。
由本单位选择的,因为申请人没有建议一幅图。
由本单位选择的,因为该图能更好地表示发明的特征。
b.
没有与摘要一起公布的附图

A. 主题的分类

按照国际专利分类(IPC)或者同时按照国家分类和IPC两种分类

B. 检索领域

检索的最低限度文献(标明分类系统和分类号):
     H01S5
包含在检索领域中的除最低限度文献以外的检索文献:
在国际检索时查阅的电子数据库(数据库的名称,和使用的检索词(如使用)):
CNABS,CNTXT,CNKI,VEN,USTXT,WOTXT,EPTXT: 横向,侧向,光栅,多,双,第二,远场,双峰,双瓣,多峰,多瓣,方向,正交,相交,垂直,模式,周期,grating?,lateral,side,multipl+, several,mode?,second+,vertical+,perpendicular+,far field,transvers+,period+

C. 相关文件

类 型* 引用文件,必要时,指明相关段落 相关的权利要求
(1)
PX
CN 110112650 A (苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司等) 2019年 8月 9日 (2019-08-09)
1-9
权利要求1-9
(2)
X
CN 101247025 A (富士通株式会社) 2008年 8月 20日 (2008-08-20)
1,3-6,8,9
说明书第8-16页,图4-6
(3)
A
CN 101247025 A (富士通株式会社) 2008年 8月 20日 (2008-08-20)
2,7
同上
(4)
A
CN 106898949 A (三星电子株式会社) 2017年 6月 27日 (2017-06-27)
1-9
全文
(5)
A
CN 101908715 A (中国科学院长春光学精密机械与物理研究所) 2010年 12月 8日 (2010-12-08)
1-9
说明书[0002]-[0016]段,图1-2
(6)
A
EP 0288184 A2 (PLESSEY OVERSEAS) 1988年 10月 26日 (1988-10-26)
1-9
全文
(7)
A
JP 2009194290 A (NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE) 2009年 8月 27日 (2009-08-27)
1-9
全文
(8)
A
CN 104917052 A (中国科学院半导体研究所) 2015年 9月 16日 (2015-09-16)
1-9
全文
*
引用文件的具体类型:
"A"
认为不特别相关的表示了现有技术一般状态的文件
"D"
申请人在国际申请中引证的文件
"E"
在国际申请日的当天或之后公布的在先申请或专利
"L"
可能对优先权要求构成怀疑的文件,或为确定另一篇引用文件的公布日而引用的或者因其他特殊理由而引用的文件(如具体说明的)
"O"
涉及口头公开、使用、展览或其他方式公开的文件
"P"
公布日先于国际申请日但迟于所要求的优先权日的文件
"T"
在申请日或优先权日之后公布,与申请不相抵触,但为了理解发明之理论或原理的在后文件
"X"
特别相关的文件,单独考虑该文件,认定要求保护的发明不是新颖的或不具有创造性
"Y"
特别相关的文件,当该文件与另一篇或者多篇该类文件结合并且这种结合对于本领域技术人员为显而易见时,要求保护的发明不具有创造性
"&"
同族专利的文件

D. 关于同族专利的信息

检索报告引用的专利文件 公布日
(年/月/日)
同族专利 公布日
(年/月/日)
CN 110112650 A
2019年 8月 9日
CN 101247025 A
2008年 8月 20日
DE 102008006270 A1
TW 200844526 A
KR 20080076758 A
US 2008199131 A1
CN 101247025 B
KR 100963177 B1
JP 2008204999 A
US 7574083 B2
JP 4312239 B2
TW I395983 B
2008年 8月 21日
2008年 11月 16日
2008年 8月 20日
2008年 8月 21日
2010年 8月 18日
2010年 6月 15日
2008年 9月 4日
2009年 8月 11日
2009年 8月 12日
2013年 5月 11日
CN 106898949 A
2017年 6月 27日
KR 20170042462 A
EP 3154138 A
US 10367332 B2
US 2017104314 A1
JP 2017073546 A
2017年 4月 19日
2017年 4月 12日
2019年 7月 30日
2017年 4月 13日
2017年 4月 13日
CN 101908715 A
2010年 12月 8日
EP 0288184 A2
1988年 10月 26日
US 4975923 A
GB 2203891 A
GB 8709312 D0
EP 0288184 A3
DE 3850600 D1
EP 0288184 B1
JP S642387 A
1990年 12月 4日
1988年 10月 26日
1987年 5月 28日
1989年 6月 7日
1994年 8月 18日
1994年 7月 13日
1989年 1月 6日
JP 2009194290 A
2009年 8月 27日
CN 104917052 A
2015年 9月 16日
CN 104917052 B
2017年 10月 24日
ISA/CN的名称和邮寄地址 :
中国国家知识产权局(ISA/CN)
中国北京市海淀区蓟门桥西土城路6号 100088
传真号 (86-10)62019451
国际检索实际完成的日期:
2020年 1月 14日
国际检索报告邮寄日期:
2020年 2月 12日
受权官员:
程灿
电话号码 62085714
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