(EN) A heterojunction structure material, a preparation method therefor and use thereof. The heterojunction structure material comprises n layers of stacking units, each stacking unit comprising a reduced material layer and a metal compound layer attached to the reduced material, N being greater than or equal to 1. The preparation method for the hetrojunction structure material comprises the following steps: growing a reduced material; depositing an elemental metal on the surface of the reduced material; and repeating the process of growing the reduced material and depositing an elemental metal on the upper surface of the reduced material for n-1 times to obtain the hetrojunction structure material.
(FR) L'invention concerne un matériau de structure à hétérojonction, son procédé de préparation et son utilisation. Le matériau de structure à hétérojonction comprend n couches d'unités d'empilement, chaque unité d'empilement comprenant une couche de matériau réduite et une couche de composé métallique fixée au matériau réduit, n étant supérieur ou égal à 1. Le procédé de préparation du matériau de structure à hétérojonction comprend les étapes suivantes : la croissance d'un matériau réduit ; le dépôt d'un métal élémentaire sur la surface du matériau réduit ; et la répétition du processus de croissance du matériau réduit et le dépôt d'un métal élémentaire sur la surface supérieure du matériau réduit pendant n-1 fois pour obtenir le matériau de structure à hétérojonction.
(ZH) 一种异质结结构材料、及其制备方法和用途，所述异质结结构材料包括n层叠加单元，每个所述叠加单元包括被还原材料层和附着在所述被还原材料层上的金属化合物层，n≥1。所述异质结结构材料的制备方法包括如下步骤：生长被还原材料；在所述被还原材料的面上沉积金属单质；重复生长被还原材料，和在所述被还原材料的上表面沉积金属单质的过程n-1次，得到异质结结构材料。
