(DE) Halbleiterbauelement (200, 300, 400) mit einem Halbleitersubstrat (201, 301, 401), das eine erste Seite aufweist auf der eine Epitaxieschicht (202, 302, 402) angeordnet ist, wobei auf der Epitaxieschicht (202, 302, 402) bereichsweise Bodygebiete (203, 303, 403) angeordnet sind und auf den Bodygebieten (203, 303, 403) Sourcegebiete (204, 304, 404) angeordnet sind, wobei sich eine Vielzahl erster Gräben (205, 305, 405) und eine Vielzahl zweiter Gräben (206, 306, 406) ausgehend von den Sourcegebieten (204, 304, 404) bis in die Epitaxieschicht (202, 302, 402) erstrecken, wobei die ersten Gräben (205, 305, 405) eine größere Tiefe aufweisen als die zweiten Gräben (206, 306, 406), wobei sich jeweils ein zweiter Graben (206, 306, 406) bereichsweise in einen ersten Graben (205, 305, 405) erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dassauf einer Grabenoberfläche der ersten Gräben (205, 305, 405) jeweils eine Schicht mit einer ersten Dotierung angeordnet ist, wobei die ersten Gräben (205, 305, 405) mit einem ersten Material (207, 307, 407) verfüllt sind, das eine zweite Dotierungskonzentration aufweist, wobei die erste Dotierungskonzentration einen höheren Wert aufweist als die zweite Dotierungskonzentration.
(EN) The invention relates to a semiconductor component (200, 300, 400) comprising a semiconductor substrate (201, 301, 401) which has a first face on which an epitaxial layer (202, 302, 402) is arranged, wherein body regions (203, 303, 403) are arranged in some regions of the epitaxial layer (202, 302, 402), and source regions (204, 304, 404) are arranged in the body regions (203, 303, 403), wherein a plurality of first trenches (205, 305, 405) and a plurality of second trenches (206, 306, 406) extend from the source regions (204, 304, 404) into the epitaxial layer (202, 302, 402), the first trenches (205, 305, 405) having a greater depth than the second trenches (206, 306, 406), wherein a second trench (206, 306, 406) each extends into some regions of a first trench (205, 305, 405), characterized in that a layer having a first doping is arranged on each trench surface of the first trenches (205, 305, 405), wherein the first trenches (205, 305, 405) are filled with a first material (207, 307, 407) which has a second doping concentration, the first doping concentration having a higher value than the second doping concentration.
(FR) La présente invention concerne un composant semi-conducteur (200, 300, 400) ayant un substrat semi-conducteur (201, 301, 401) qui comprend une première face sur laquelle est disposée une couche épitaxiale (202, 302, 402). Sur la couche épitaxiale (202, 302, 402) sont disposées par secteur des zones de corps (203, 303, 403) et sur les zones de corps (203, 303, 403) sont disposées des zones de source (204, 304, 404). Une pluralité de premiers fossés (205, 305, 405) et une pluralité de seconds fossés (206, 306, 406) s’étendent depuis les zones de source (204, 304, 404) jusque dans la couche épitaxiale (202, 302, 402), les premiers fossés (205, 305, 405) présentant une plus grande profondeur que les seconds fossés (206, 306, 406), et chaque second fossé (206, 306, 406) s’étendant par secteur dans un premier fossé (205, 305, 405). La présente invention est caractérisée en ce qu’une couche ayant un premier dopage est disposée sur chaque surface de fossé des premiers fossés (205, 305, 405), les premiers fossés (205, 305, 405) étant remplis avec un premier matériau (207, 307, 407) qui présente une seconde concentration de dopage, et la première concentration de dopage présentant une valeur plus élevée que la seconde concentration de dopage.