Embodiments of semiconductor devices and fabrication methods thereof are disclosed. In an example, a semiconductor device includes a first semiconductor structure including a programmable logic device, an array of static random-access memory (SRAM) cells, and a first bonding layer including a plurality of first bonding contacts. The semiconductor device also includes a second semiconductor structure including an array of NAND memory cells and a second bonding layer including a plurality of second bonding contacts. The semiconductor device further includes a bonding interface between the first bonding layer and the second bonding layer. The first bonding contacts are in contact with the second bonding contacts at the bonding interface.

Selon des modes de réalisation, l’invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs et leurs procédés de fabrication. Selon un exemple, un dispositif à semi-conducteur comprend une première structure de semi-conducteur comprenant un dispositif logique programmable, un réseau de cellules de mémoire statique à accès aléatoire (SRAM), et une première couche de liaison comprenant une pluralité de premiers contacts de liaison. Le dispositif à semi-conducteur comprend également une seconde structure à semi-conducteur comprenant des cellules de mémoire NAND et une seconde couche de liaison comprenant des seconds contacts de liaison. Le dispositif à semi-conducteur comprend en outre une interface de liaison entre la première couche de liaison et la seconde couche de liaison. Les premiers contacts de liaison sont en contact avec les seconds contacts de liaison au niveau de l’interface de liaison.