(EN) A three-dimensional (3D) memory device having bent backside word lines is disclosed. The 3D memory device includes a substrate (102), a semiconductor layer (104) above and extending laterally beyond at least one edge (114, 116) of the substrate (102), a plurality of interleaved conductive layers (110) and dielectric layers (112) above a front side of the semiconductor layer (104) and extending below a back side of the semiconductor layer (104), and a plurality of memory strings (130, 140) each extending vertically through the interleaved conductive layers (110) and dielectric layers (112) and in contact with the semiconductor layer (104).
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnel (3D) ayant des lignes de mots arrière courbées. Le dispositif de mémoire 3D comprend un substrat (102), une couche semi-conductrice (104) au-dessus et s'étendant latéralement au-delà d'au moins un bord (114, 116) du substrat (102), une pluralité de couches conductrices entrelacées (110) et des couches diélectriques (112) au-dessus d'un côté avant de la couche semi-conductrice (104) et s'étendant au-dessous d'un côté arrière de la couche semi-conductrice (104), et une pluralité de chaînes de mémoire (130, 140) s'étendant chacune verticalement à travers les couches conductrices entrelacées (110) et les couches diélectriques (112) et en contact avec la couche semi-conductrice (104).