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1. WO2020209022 - GALLIUM OXIDE SUBSTRATE, AND GALLIUM OXIDE SUBSTRATE PRODUCTION METHOD

Publication Number WO/2020/209022
Publication Date 15.10.2020
International Application No. PCT/JP2020/011995
International Filing Date 18.03.2020
IPC
C30B 29/16 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
H01L 21/304 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
302to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Applicants
  • AGC株式会社 AGC INC. [JP]/[JP]
Inventors
  • 平林 佑介 HIRABAYASHI, Yusuke
Agents
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
Priority Data
2019-07354808.04.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) GALLIUM OXIDE SUBSTRATE, AND GALLIUM OXIDE SUBSTRATE PRODUCTION METHOD
(FR) SUBSTRAT D'OXYDE DE GALLIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT D'OXYDE DE GALLIUM
(JA) 酸化ガリウム基板、および酸化ガリウム基板の製造方法
Abstract
(EN)
This gallium oxide substrate has a first main surface and a second main surface oriented facing away from the first main surface. With the reference plane being the least square plane of the first main surface, if the high-low difference measurement data z0(r, θ) for the first main surface is approximated by z(r, θ) from formula (1) of the specification, then: when the second main surface is oriented to be face-to-face with a horizontal flat surface and disposed thereon, a first largest high-low difference (PV1) for a component yielded by adding all the anmznm(r, θ) values wherefor j is 4, 9, 16, 25, 36, 49, 64, and 81, divided by the first main surface diameter (D), gives a value (PV1/D) of 0.39 × 10-4 or lower; and when the second main surface is oriented to be face-to-face with a flat chuck surface and the entire surface thereof is adsorbed thereon, a second largest high-low difference (PV2) for a component yielded by adding all the anmznm(r, θ) values wherefor j is 4 to 81, divided by the first main surface diameter (D), gives a value (PV2/D) of 0.59 × 10-4 or less.
(FR)
La présente invention concerne un substrat d'oxyde de gallium présentant une première surface principale et une seconde surface principale opposée à la première surface principale. Le plan de référence étant le plan des moindres carrés de la première surface principale, si les données de mesure de différence élevée-faible z0(r, θ) pour la première surface principale sont approximées par z(r, θ) de formule (1) de la description, alors : lorsque la seconde surface principale est orientée pour être orientée face à face avec une surface plate horizontale et disposée sur cette dernière, une première différence élevée-faible (PV1) pour une composante obtenue par addition de toutes les valeurs anmznm(r, θ) d’où j est 4, 9, 16, 25, 36, 49, 64 et 81, divisé par le premier diamètre de surface principale (D), donne une valeur (PV1/D) de 0,39 × 10-4 ou moins ; et lorsque la seconde surface principale est orientée face à face avec une surface de mandrin plate et que sa surface entière est adsorbée sur cette dernière, une seconde différence élevée-faible la plus grande (PV2) pour une composante obtenue par addition de toutes les valeurs anmznm(r, θ) d'où j est de 4 à 81, divisé par le premier diamètre de surface principale (D), donne une valeur (PV2/D) de 0,59 × 10-4 ou moins.
(JA)
第1主表面と、前記第1主表面とは反対向きの第2主表面とを有し、前記第1主表面の最小二乗平面を基準面とする前記第1主表面の高低差の測定データz(r,θ)を、明細書中の式(1)のz(r,θ)で近似すると、前記第2主表面を水平な平坦面に向かい合せて載置した時の、jが4、9、16、25、36、49、64、81である全てのanmnm(r,θ)を足した成分の第1最大高低差(PV1)を、前記第1主表面の直径(D)で割った値(PV1/D)が0.39×10-4以下であり、前記第2主表面を平坦なチャック面に向い合せて全面吸着した時の、jが4以上81以下である全てのanmnm(r,θ)を足した成分の第2最大高低差(PV2)を、前記第1主表面の直径(D)で割った値(PV2/D)が0.59×10-4以下である、酸化ガリウム基板。
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