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1. WO2020208907 - MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC SENSOR

Publication Number WO/2020/208907
Publication Date 15.10.2020
International Application No. PCT/JP2020/003452
International Filing Date 30.01.2020
IPC
H01L 43/08 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
H01L 29/82 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66Types of semiconductor device
82controllable by variation of the magnetic field applied to the device
G01R 33/09 2006.01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices
09Magneto-resistive devices
Applicants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 久保田 将司 KUBOTA, Masashi
  • 伊藤 是清 ITO, Korekiyo
Agents
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
Priority Data
2019-07419009.04.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC SENSOR
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET CAPTEUR MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗素子および磁気センサ
Abstract
(EN)
A magnetoresistive element (10) is provided with a first element portion (11) including a first unit element (13), and a second element portion (12) including a second unit element (14). The first element portion (11) and the second element portion (12) are connected in series. The first unit element (13) includes a first reference layer in which magnetization is fixed in a predetermined direction in an in-plane direction, and a first free layer which is magnetized spirally. The second element portion (12) includes a second reference layer in which magnetization is fixed in a predetermined direction in the in-plane direction, and a second free layer which is spirally magnetized. The direction of the magnetization fixed in the first reference layer and the direction of the magnetization fixed in the second reference layer are opposite to each other.
(FR)
La présente invention porte sur un élément magnétorésistif (10) qui est pourvu d'une première partie élément (11) comprenant un premier élément unitaire (13), et d'une seconde partie élément (12) comprenant un second élément unitaire (14). La première partie élément (11) et la seconde partie élément (12) sont connectées en série. Le premier élément unitaire (13) comprend une première couche de référence dont la magnétisation est fixée dans une direction prédéfinie dans une direction du plan, et une première couche libre qui est magnétisée en spirale. La seconde partie élément (12) comprend une seconde couche de référence dont la magnétisation est fixée dans une direction prédéfinie dans la direction du plan, et une seconde couche libre qui est magnétisée en spirale. La direction de la magnétisation fixée dans la première couche de référence et la direction de la magnétisation fixée dans la seconde couche de référence sont opposées l'une à l'autre.
(JA)
磁気抵抗素子(10)は、第1単位素子(13)を含む第1素子部(11)と、第2単位素子(14)を含む第2素子部(12)と、を備え、第1素子部(11)と第2素子部(12)とは直列に接続されており、第1単位素子(13)は、面内方向における所定の方向に磁化が固定された第1リファレンス層と、渦状に磁化された第1フリー層と、を含み、第2素子部(12)は、面内方向における所定の方向に磁化が固定された第2リファレンス層と、渦状に磁化された第2フリー層と、を含み、第1リファレンス層における固定された磁化が向く方向と、第2リファレンス層における固定された磁化が向く方向とが逆方向である。
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