Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2020203227 - METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL, IN-PROCESS SOLAR CELL SUBSTRATE, AND SOLAR CELL

Publication Number WO/2020/203227
Publication Date 08.10.2020
International Application No. PCT/JP2020/011484
International Filing Date 16.03.2020
IPC
H01L 31/0747 2012.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0745comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
0747comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells
Applicants
  • 株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 阿部 祐介 ABE Yusuke
  • 吉田 航 YOSHIDA Wataru
  • 日野 将志 HINO Masashi
Agents
  • 藤田 隆 FUJITA Takashi
  • 大南 匡史 OHMINAMI Tadashi
Priority Data
2019-06810629.03.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL, IN-PROCESS SOLAR CELL SUBSTRATE, AND SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE, SUBSTRAT DE CELLULE SOLAIRE EN COURS DE TRAITEMENT ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法、仕掛太陽電池基板、及び太陽電池
Abstract
(EN)
The present invention provides a method for manufacturing a solar cell in which mass production is facilitated and yield is improved compared to the past, an in-process solar cell substrate, and a solar cell. The method includes: a first semiconductor layer formation step for forming a reverse conductivity-type semiconductor layer 16 on the first main surface side of a semiconductor substrate 5; a liftoff layer formation step for forming a liftoff layer 50 having silicon oxide or silicon nitride as the main component on the reverse conductivity-type semiconductor layer 16; a second semiconductor layer formation step for forming a first conductivity-type semiconductor layer 11 so as to have a portion overlapping with the liftoff layer 50 when the semiconductor substrate 5 is viewed in plan view; and a liftoff step for dissolving the liftoff layer 50 with a liftoff liquid and thereby removing the overlapping portion of the first conductivity-type semiconductor layer 11. In the liftoff layer formation step, a first reaction gas is blown at a film formation temperature of 150°C or below and the gas refrigerant introduction pipe 50 is formed.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire dans lequel la production de masse est facilitée et le rendement est amélioré par rapport au passé, un substrat de cellule solaire en cours de traitement, et une cellule solaire. Le procédé comprend les étapes suivantes : une première étape de formation de couche semi-conductrice pour former une couche semi-conductrice de type à conductivité inverse (16) sur le premier côté de surface principale d'un substrat semi-conducteur (5); une étape de formation de couche de décollement pour former une couche de décollement (50) ayant de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium en tant que composant principal sur la couche semi-conductrice de type à conductivité inverse (16); une seconde étape de formation de couche semi-conductrice pour former une première couche semi-conductrice de type à conductivité (11) de manière à avoir une partie chevauchant la couche de décollement (50) lorsque le substrat semi-conducteur (5) est visualisé dans une vue en plan; et une étape de décollement pour dissoudre la couche de décollement (50) avec un liquide de décollement et éliminer ainsi la partie de chevauchement de la première couche semi-conductrice de type à conductivité. Dans l'étape de formation de la couche de décollement, un premier gaz de réaction est soufflé à une température de formation de film de 150 °C ou moins et le tuyau d'introduction de réfrigérant gazeux (50) est formé.
(JA)
本発明は、従来に比べて大量生産が容易で歩留まりが良好な太陽電池の製造方法、仕掛太陽電池基板、及び太陽電池を提供する。 半導体基板5の第1主面側に逆導電型半導体層16を形成する第1半導体層形成工程と、逆導電型半導体層16上に酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とするリフトオフ層50を形成するリフトオフ層形成工程と、半導体基板5を平面視したときに、リフトオフ層50と重なり部分をもつように一導電型半導体層11を形成する第2半導体層形成工程と、リフトオフ液でリフトオフ層50を溶解することで、一導電型半導体層11の重なり部分を除去するリフトオフ工程を含み、リフトオフ層形成工程では、150℃以下の製膜温度で第1反応ガスを吹き付けてリフトオフ層50を製膜する方法とする。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau