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1. WO2020203044 - OSCILLATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING OSCILLATOR

Publication Number WO/2020/203044
Publication Date 08.10.2020
International Application No. PCT/JP2020/009694
International Filing Date 06.03.2020
IPC
H03H 3/02 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
H03H 9/02 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02Details
H03H 9/19 2006.01
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
15Constructional features of resonators consisting of piezo-electric or electrostrictive material
17having a single resonator
19consisting of quartz
Applicants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 尾島 茂夫 OJIMA, Shigeo
Agents
  • 稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki
  • 大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi
Priority Data
2019-06762229.03.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) OSCILLATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING OSCILLATOR
(FR) OSCILLATEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 振動子及び振動子の製造方法
Abstract
(EN)
The present invention includes: a step for forming an excitation electrode, an extraction electrode, and a first sealing frame on each main surface of a crystal piece 11; a step for forming a second sealing frame on a respective main surface of a base part 30 and a lid part 20; and a step for joining each of the base part 30 and the lid part 20 with a crystal vibrating element 10, and thereby sealing the crystal vibrating element 10. The first sealing frames have a first base layer 110, which is a Ti layer or a Cr layer, and a first surface layer 120, which is an Au layer, the thickness of the first base layer 110 being less than that of the first surface layer 120. The second sealing frames have a second base layer 210, which is an Ni layer, and a second surface layer 220, which is an AuSn layer, the thickness of the second base layer 210 being greater than that of the second surface layer 220. The sealing step includes bonding the base part 30, the lid part 20, and the crystal vibrating element 10 by alloying the first surface layer 120 and the second surface layer 220.
(FR)
La présente invention comprend : une étape de formation d'une électrode d'excitation, d'une électrode d'extraction et d'un premier cadre d'étanchéité sur chaque surface principale d'une pièce de cristal 11 ; une étape consistant à former un second cadre d'étanchéité sur une surface principale respective d'une partie base 30 et d'une partie couvercle 20 ; et une étape pour assembler chacune de la partie base 30 et de la partie couvercle 20 avec un élément vibrant de cristal 10, et ainsi sceller l'élément vibrant de cristal 10. Les premiers cadres d'étanchéité ont une première couche de base 110, qui est une couche de Ti ou une couche de Cr, et une première couche de surface 120, qui est une couche d'Au, l'épaisseur de la première couche de base 110 étant inférieure à celle de la première couche de surface 120. Les seconds cadres d'étanchéité ont une seconde couche de base 210, qui est une couche de Ni, et une seconde couche de surface 220, qui est une couche d'AuSn, l'épaisseur de la seconde couche de base 210 étant supérieure à celle de la seconde couche de surface 220. L'étape d'étanchéité comprend la liaison de la partie base 30, de la partie couvercle 20, et de l'élément vibrant de cristal 10 par alliage de la première couche de surface 120 et de la seconde couche de surface 220.
(JA)
水晶片11の各主面に励振電極、引出電極及び第1封止枠を形成する工程と、ベース部30及び蓋部20のそれぞれの主面に第2封止枠を形成する工程と、ベース部30及び蓋部20のそれぞれと水晶振動素子10とを接合することで、水晶振動素子10を封止する工程とを含み、第1封止枠は、Ti層又はCr層である第1下地層110と、Au層である第1表層120とを有し、第1下地層110の厚みが第1表層120よりも薄く、第2封止枠は、Ni層である第2下地層210と、AuSn層である第2表層220とを有し、第2下地層210の厚みが第2表層220よりも厚く、封止する工程は、第1表層120と第2表層220との合金化によるベース部30及び蓋部20と水晶振動素子10との接合を含む。
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