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1. WO2020202840 - METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL AND SOLAR CELL

Publication Number WO/2020/202840
Publication Date 08.10.2020
International Application No. PCT/JP2020/006030
International Filing Date 17.02.2020
IPC
H01L 31/0747 2012.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0745comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
0747comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells
Applicants
  • 株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 中野邦裕 NAKANO Kunihiro
Agents
  • 新山 雄一 NIIYAMA Yuichi
  • 加藤 竜太 KATO Ryuta
Priority Data
2019-06626129.03.2019JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL AND SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法および太陽電池
Abstract
(EN)
Provided is a method for manufacturing a solar cell (1) such that performance reduction and reliability reduction caused by an outer peripheral edge region of a main surface of a semiconductor substrate (11) being exposed can be suppressed. The method for manufacturing a solar cell (1) includes: a step of forming a first conductivity type semiconductor layer material film in a first region (7) and a second region (8) on a rear side of the semiconductor substrate (11) with an outer peripheral edge region (R) of the rear side of the semiconductor substrate (11) being masked; a step of covering the first region (7) and the outer peripheral edge region (R) of the rear side of the semiconductor substrate (11) with a resist and forming a patterned semiconductor layer (25) of a first conductivity type in the first region (7); a step of forming a second conductivity type semiconductor layer material film on the entire surface including the first region (7), the second region (8), and the outer peripheral edge region (R) of the rear side of the semiconductor substrate (11); and a step of covering the second region (8) and the outer peripheral edge region (R) of the rear side of the semiconductor substrate (11) with a resist and forming a patterned semiconductor layer (35) of a second conductivity type in the second region (8) and the outer peripheral edge region (R).
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire (1) de telle sorte que la réduction de performance et la réduction de fiabilité provoquées par une région de bord périphérique externe d'une surface principale d'un substrat semi-conducteur (11) exposée peuvent être empêchées. Le procédé de fabrication d'une cellule solaire (1) comprend : une étape de formation d'un film de matériau de couche semi-conductrice de premier type de conductivité dans une première région (7) et une seconde région (8) sur un côté arrière du substrat semi-conducteur (11) avec une région de bord périphérique externe (R) du côté arrière du substrat semi-conducteur (11) étant masquées ; une étape consistant à recouvrir la première région (7) et la région de bord périphérique externe (R) du côté arrière du substrat semi-conducteur (11) avec un résist et formant une couche semi-conductrice à motifs (25) d'un premier type de conductivité dans la première région (7) ; une étape de formation d'un film de matériau de couche semi-conductrice de second type de conductivité sur toute la surface comprenant la première région (7), la seconde région (8), et la région de bord périphérique externe (R) du côté arrière du substrat semi-conducteur (11) ; et une étape consistant à recouvrir la seconde région (8) et la région de bord périphérique externe (R) du côté arrière du substrat semi-conducteur (11) avec un résist et formant une couche semi-conductrice à motifs (35) d'un second type de conductivité dans la seconde région (8) et la région de bord périphérique externe (R).
(JA)
半導体基板(11)の主面の外周縁領域が露出することに起因する性能低下および信頼性低下を抑制する太陽電池(1)の製造方法を提供する。太陽電池(1)の製造方法は、半導体基板(11)の裏面側の外周縁領域(R)をマスクした状態で、半導体基板(11)の裏面側の第1領域(7)および第2領域(8)に、第1導電型半導体層材料膜を形成する工程と、半導体基板(11)の裏面側の第1領域(7)および外周縁領域(R)をレジストで覆って、第1領域(7)にパターン化された第1導電型半導体層(25)を形成する工程と、半導体基板(11)の裏面側の第1領域(7)、第2領域(8)および外周縁領域(R)を含む全面に、第2導電型半導体層材料膜を形成する工程と、半導体基板(11)の裏面側の第2領域(8)および外周縁領域(R)をレジストで覆って、第2領域(8)および外周縁領域(R)にパターン化された第2導電型半導体層(35)を形成する工程と、を含む。
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